TS7441L是一种对称反射单极四掷（SP4T）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。TS7441L在1MHz至2.7GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小型封装应用的优秀开关。TS7441L采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）4x4mm 32引脚塑料封装。特性●低插入损耗：0.40dB@800MHz●高隔离度：800MHz时36dB●高线性功率处理能力●射频线路上没有外部隔直电容器●多功能2.6-5.5V电源应用●私人移动无线电手机●公共安全手机●蜂窝基础设施●低功率的无线接入节点●LTE中继和微蜂窝●卫星终端
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2025/4/22 13:51:11
TS7421L是一款对称反射式单刀双掷（SPDT）开关，专为宽带、高峰值功率开关应用而设计。其500MHz至5GHz的宽带性能使TS7421L成为所有需要低插入损耗、高隔离和高线性度的小型封装应用的优秀开关。TS7421L采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）4x4mm 32引脚塑料封装。特性●低插入损耗：800MHz时为0.30dB●高隔离度：44dB@800MHz●高线性功率处理能力●射频线路上没有外部隔直电容器●多功能2.6-5.5V电源应用●私人移动无线电手机●公共安全手机●蜂窝基础设施●低功率的无线接入节点●LTE中继和微蜂窝●卫星终端
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2025/4/22 13:47:19
TS7242FK是一种对称反射单极四掷（SP4T）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。TS7242FK在10MHz至3GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小型封装应用的优秀开关。TS7242FK封装在紧凑的四方扁平无引脚（QFN）3x3mm 16引脚塑料封装中。特性●低插入损耗：0.45dB@800MHz●高隔离度：40dB@800MHz●高线性功率处理能力●射频线路上没有外部隔直电容器●40dBm CW热切换能力●多功能2.6-5.5V电源●工作频率：10MHz至3GHz应用●私人移动无线电手机●公共安全手机●蜂窝基础设施●低功率的无线接入节点●LTE中继和微蜂窝●卫星终端
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2025/4/22 13:42:22
TS7423L是一款对称反射式单刀双掷（SPDT）开关，专为宽带、高峰值功率开关应用而设计。其从30MHz到3GHz的宽带性能使TS7423L成为所有在小封装尺寸内需要低插入损耗、高隔离和高线性的应用的优秀开关。TS7423L采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）4x4mm 32引脚塑料封装。特性●低插入损耗：800MHz时为0.30dB●高隔离度：800MHz时为43dB●高线性功率处理能力●多功能2.6-5.5V电源应用●私人移动无线电手机●公共安全手机●蜂窝基础设施●低功率的无线接入节点●LTE中继和微蜂窝●卫星终端
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2025/4/22 13:23:40
TS7323K是一款对称反射式单刀双掷（SPDT）开关，专为宽带、高峰值功率开关应用而设计。TS7323K在1MHz至4GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小型封装应用的优秀开关。TS7323K采用紧凑的四方扁平无引脚（QFN）3x3mm 16引脚塑料封装。特性●低插入损耗：800MHz时为0.25dB●高隔离度：42dB@800MHz●高峰值功率处理能力65W●射频线路上没有外部隔直电容器●40dBm CW热切换能力●所有射频端口关闭状态●多功能2.6-5.5V电源●工作频率：1MHz至4.0GHz应用●私人移动无线电手机●公共安全手机●蜂窝基础设施●小电池（3×3mm QFN封装）●LTE中继和微蜂窝●卫星终端
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2025/4/22 13:17:52
TS7321FK是一款对称反射式单刀双掷（SPDT）开关，专为宽带、高峰值功率开关应用而设计。TS7321FK在10MHz至6GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小型封装应用的优秀开关。TS7321FK采用紧凑的四方扁平无引脚（QFN）3x3mm 16引脚塑料封装。特性●低插入损耗：0.35dB@800MHz●高隔离度：800MHz时45dB●高峰值功率处理能力●射频线路上没有外部隔直电容器●41dBm CW热切换能力●所有射频端口关闭状态●多功能2.6-5.5V电源●工作频率：10MHz至6GHz应用●私人移动无线电手机●公共安全手机●蜂窝基础设施●低功率的无线接入节点●LTE中继和微蜂窝●卫星终端
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2025/4/21 14:13:51
TS7246K是一款对称反射式单极四掷（SP4T）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。TS7246K在1MHz至3GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小型封装应用的优秀开关。TS7246K采用紧凑的四方扁平无引脚（QFN）3x3mm 16引脚塑料封装。特性●低插入损耗：0.45dB@800MHz●高隔离度：40dB@800MHz●高线性功率处理能力●射频线路上没有外部隔直电容器●多功能2.6-5.5V电源●工作频率：1MHz至3GHz应用●私人移动无线电手机●公共安全手机●蜂窝基础设施●低功率的无线接入节点●LTE中继和微蜂窝●卫星终端
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2025/4/21 14:11:03
TS7232FK是一种对称反射式单极三掷（SP3T）开关，专为宽带、高峰值功率开关应用而设计。TS7232FK在30MHz至4GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小型封装应用的优秀开关。TS7232FK封装在紧凑的四方扁平无引脚（QFN）3x3mm 16引脚塑料封装中。特性●低插入损耗：0.40dB@800MHz●高隔离度：800MHz时45dB●高峰值功率处理能力●射频线路上没有外部隔直电容器●所有射频端口关闭状态●多功能2.6-5.5V电源●工作频率：30MHz至4.0GHz应用●私人移动无线电手机●公共安全手机●蜂窝基础设施●低功率的无线接入节点●LTE中继和微蜂窝●卫星终端
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2025/4/21 13:57:27
TS7226K是一款对称反射式单刀双掷（SPDT）开关，专为宽带、高峰值功率开关应用而设计。TS7226K在500MHz至7GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小型封装应用的优秀开关。TS7226K采用紧凑的四方扁平无引脚（QFN）3x3mm 16引脚塑料封装。特性●低插入损耗：0.5dB@2.6GHz●高隔离度：2.6GHz时35dB●高峰值功率处理能力●射频线路上没有外部隔直电容器●40dBm CW热切换能力●所有射频端口关闭状态●多功能2.6-5.5V电源●工作频率：500MHz至7GHz应用●移动无线电手机●大规模MIMO●蜂窝基础设施●低功率的无线接入节点●LTE中继和微蜂窝●卫星终端
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2025/4/21 13:52:24
TS7224FK是一款对称反射式单刀双掷（SPDT）开关，专为宽带、高峰值功率开关应用而设计。TS7224FK在30MHz至6GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要在小封装尺寸内实现低插入损耗、高隔离和高线性的应用的优秀开关。TS72254K采用紧凑的四方扁平无引脚（QFN）3x3mm 16引脚塑料封装。特性●低插入损耗：0.35dB@800MHz●高隔离度：800MHz时45dB●高峰值功率处理能力●射频线路上没有外部隔直电容器●40dBm CW热切换能力●所有射频端口关闭状态●多功能2.6-5.5V电源●工作频率：30MHz至6GHz应用●私人移动无线电手机●公共安全手机●蜂窝基础设施●低功率的无线接入节点●LTE中继和微蜂窝●卫星终端
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2025/4/21 13:50:01
TS7225FK是一款对称反射式单刀双掷（SPDT）开关，专为宽带、高峰值功率开关应用而设计。TS7225FK在10MHz至6GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小型封装应用的射频开关。TS7225FK采用紧凑的四方扁平无引脚（QFN）3x3mm 16引脚塑料封装。特性●低插入损耗：0.35dB@800MHz●高隔离度：800MHz时45dB●高峰值功率处理能力●射频线路上没有外部隔直电容器●40dBm CW热切换能力●所有射频端口关闭状态●多功能2.6-5.5V电源●工作频率：10MHz至6GHz应用●私人移动无线电手机●公共安全手机●蜂窝基础设施●小细胞●LTE中继和微蜂窝●卫星终端
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2025/4/18 17:03:17
TS86436P是第二代对称反射单极双掷（SP4T）开关，专为高功率开关应用而设计。TS86436P覆盖30MHz至1300MHz带宽，在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。TS86436P是一款200W-CW开关，适用于需要低插入损耗、高隔离和高线性度的应用。TS86436P采用紧凑的四方扁平无引脚（QFN）7x7mm 48引脚塑料封装。特性•低插入损耗：0.09dB@30 MHz•高隔离度：30 MHz时为70 dB，1 GHz时为36 dB•200W连续波功率•射频线路上没有外部隔直电容器•所有射频端口均处于关闭状态•多功能2.6-5.25V电源•工作频率：30 MHz至1320 MHz应用私人移动和军用无线电公共安全手机蜂窝基础设施LTE中继和微蜂窝卫星终端
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2025/4/18 17:02:08
TS86236P是第二代对称反射单极双掷（SPDT）开关，专为高功率开关应用而设计。TS86236P覆盖30MHz至1000MHz带宽，在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。TS86236P是一款200W-CW开关，适用于需要低插入损耗、高隔离和高线性度的应用。TS86236P封装在紧凑的四方扁平无引脚（QFN）7x7mm 48引脚塑料封装中。特性•低插入损耗：0.08dB@30 MHz•高隔离度：30 MHz时为70 dB，1 GHz时为38 dB•200W连续波功率•射频线路上没有外部隔直电容器•所有射频端口均处于关闭状态•多功能2.6-5.25V电源•工作频率：30 MHz至1400 MHz应用•私人移动和军用无线电•公共安全手机•蜂窝基础设施•LTE中继和微蜂窝•卫星终端
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2025/4/17 14:14:59
TS86246P是第二代对称反射单极双掷（SPDT）开关，专为高功率开关应用而设计。TS86246P覆盖1MHz至600MHz带宽，在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。TS86246P是一款200W-CW开关，适用于需要低插入损耗、高隔离和高线性度的应用。TS86246P封装在紧凑的四方扁平无引脚（QFN）7x7mm 48引脚塑料封装中。特性•低插入损耗：0.08dB@1 MHz•高隔离度：1 MHz时为58 dB，30 MHz时为49 dB•200W连续波功率•射频线路上没有外部隔直电容器•所有射频端口均处于关闭状态•多功能2.6-5.25V电源•工作频率：1 MHz至1000 MHz应用•私人移动和战术高频无线电•公共安全高频手机•火腿收音机•MRI机器•机械继电器更换•高频天线调谐
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2025/4/17 13:57:08
TS8043N是第二代对称反射单极四掷（SP4T）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。通过简单的宽带匹配，TS8043N可以覆盖30M至1.0GHz的带宽，并在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。TS8043N是一款出色的开关，适用于在小封装尺寸内需要低插入损耗、高隔离和高线性的所有应用。TS8043N采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）5x5mm 32引脚塑料封装。特性•低插入损耗：0.37dB@1GHz•高隔离度：400MHz时为45dB，1GHz时为36dB•100W CW，200W峰值功率•射频线路上没有外部隔直电容器•所有射频端口均处于关闭状态•多功能2.6-5.25V电源•工作频率：30MHz至1.0GHz应用•私人移动和军用无线电•公共安全手机•蜂窝基础设施•Small cells•LTE中继和微蜂窝•卫星终端
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2025/4/17 13:54:00
TS8023N是第二代对称反射单极双掷（SPDT）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。通过简单的宽带匹配，TS8023N可以覆盖30M至3.5GHz的带宽，并在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。TS8023N是一款出色的开关，适用于所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小封装应用。TS8023N采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）5x5mm 32引脚塑料封装。特性•低插入损耗：0.5dB@4GHz•高隔离度：1.0GHz时为42dB，3.5GHz时为27dB•100W CW，200W峰值功率•射频线路上没有外部隔直电容器•所有射频端口均处于关闭状态•多功能2.6-5.25V电源•工作频率：30MHz至3.5GHz应用•私人移动和军用无线电•公共安全手机•蜂窝基础设施•小细胞•LTE中继和微蜂窝•卫星终端
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2025/4/17 13:49:41
TS8541L是一种对称反射单极四掷（SP4T）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。TS8541L在30MHz至3.0GHz频率范围内的宽带性能使其成为所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小型封装应用的优秀开关。部分也可以在30MHz以下使用，同时降低功率处理。TS8541L采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）4x4mm 32引脚塑料封装。特性●低插入损耗：800MHz时为0.25dB●高隔离度：800MHz时45dB●高线性功率处理能力●射频线路上没有外部隔直电容器●多功能2.6-5.5V电源应用●私人移动无线电手机●公共安全手机●蜂窝基础设施●Small cells
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2025/4/17 13:44:59
TS8022L是第二代对称反射单极双掷（SPDT）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。通过简单的宽带匹配，TS8022L可以覆盖30M至6GHz的带宽，并在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。TS8022L是一款出色的开关，适用于所有需要低插入损耗、高隔离度和高线性度的小封装应用。TS8022L采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）4x4mm 32引脚塑料封装。特性低插入损耗：0.5dB@4GHz高隔离度：0.8GHz时为42dB，4GHz时为20dB50W CW，125W峰值功率射频线路上没有外部隔直电容器所有射频端口均处于关闭状态多功能2.6-5.25V电源工作频率：30MHz至6GHz应用私人移动和军用无线电公共安全手机蜂窝基础设施小细胞LTE中继和微型蜂窝卫星终端
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2025/4/17 13:41:46