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TS86236P特罗半导体射频开关的概述及特性分析

2025/4/17 14:14:59
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TS86236P是第二代对称反射单极双掷（SPDT）开关，专为高功率开关应用而设计。TS86236P覆盖30MHz至1000MHz带宽，在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。TS86236P是一款200W-CW开关，适用于需要低插入损耗、高隔离和高线性度的应用。

TS86236P特罗半导体射频开关的概述及特性分析

TS86236P封装在紧凑的四方扁平无引脚（QFN）7x7mm 48引脚塑料封装中。

特性

•低插入损耗：0.08dB@30 MHz

•高隔离度：30 MHz时为70 dB，1 GHz时为38 dB

•200W连续波功率

•射频线路上没有外部隔直电容器

•所有射频端口均处于关闭状态

•多功能2.6-5.25V电源

•工作频率：30 MHz至1400 MHz

应用

•私人移动和军用无线电

•公共安全手机

•蜂窝基础设施

•LTE中继和微蜂窝

•卫星终端
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