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TS80210N特罗半导体射频开关的特性及应用解析

2025/4/23 10:34:44
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TS80210N是第二代对称反射单极双掷（SPDT）开关，专为宽带、高功率开关应用而设计。通过简单的宽带匹配，TS80210N可以覆盖30M至4GHz的带宽，并在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。TS80210N是一款出色的开关，适用于所有需要在小封装尺寸内实现低插入损耗、高隔离和高线性的应用。此部件禁用了内部电荷泵，以消除电荷泵杂散。VCP引脚上需要-18V电源

TS80210N采用紧凑型四扁平无引脚（QFN）5x5mm 32引脚塑料封装。

TS80210N特罗半导体射频开关的特性及应用解析

特性

•低插入损耗：0.5dB@4GHz

•高隔离度：0.8GHz时为42dB，4GHz时为20dB

•50W CW，125W峰值功率

•射频线路上没有外部隔直电容器

•所有射频端口均处于关闭状态

•多功能2.6-5.25V电源

•工作频率：30MHz至4GHz

应用

•私人移动和军用无线电

•公共安全手机

•蜂窝基础设施

•小细胞

•LTE中继和微蜂窝

•卫星终端
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