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BTRM-50+同轴连接器的概述、特性及应用分析

2025/5/21 15:03:17
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Mini-Circuits的BTRM-50+是一款宽带50Ω 终端能够吸收从DC到4GHz的高达0.5W的信号。该模型在其整个工作频率范围内提供了出色的回波损耗,有效地以最小的信号反射耗散功率。该装置具有坚固结构的BNC公接头,使用寿命长,采用三金属镀黄铜外壳,直径仅为1.46(l)x 0.58英寸。

特性

BNC公连接器

出色的回波损耗,典型值为26 dB。

宽频率范围,高达4 GHz

应用

蜂窝通信

卫星通信

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    2026-02-26
    下图显示了 HMC8191 的典型应用电路。为选择合适的边带,需要一个外部的 90° 混合耦合器。对于不需要直流工作的应用,请使用一个片外的直流隔直电容。对于需要在输出端抑制本振信号的应用,请使用如图 149 所示的偏置三通或射频馈电结构。确保用于本振抑制的源电流或灌电流在每个 IF 端口小于 3 mA,以防止损坏器件。每个 IF 端口的共模电压为 0 V。当作为上变频器使用时,若要选择上边带,请将 IF1 引脚连接到混合耦合器的 90° 端口,并将 IF2 引脚连接到混合耦合器的 0° 端口。若要选择下边带,请将 IF1 连接到混合耦合器的 0° 端口,IF2 连接到混合耦合器的 90° 端口。输入来自混合耦合器的求和端口,差值端口接 50 Ω 终端。当作为下变频器使用时,若要选择上边带(低侧本振),请将 IF1 引脚连接到混合耦合器的 0° 端口,并将 IF2 引脚连接到混合耦合器的 90° 端口。若要选择下边带(高侧本振),请将 IF1 引脚连接到混合耦合器的 90° 端口,IF2 连接到混合耦合器的 0° 端口。输出来自混合耦合器的求和端口,差值端口接 50 Ω 终端。
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    2026-02-26
    HMC8191 是一款无源、宽带、I/Q 架构的 MMIC 混频器,既可作为接收机中的镜像抑制混频器使用,也可作为发射机中的单边带上变频器使用。其射频(RF)和本振(LO)工作频率范围为 6 GHz 至 26.5 GHz,中频(IF)带宽为 直流至 5 GHz,因此非常适合需要宽频段覆盖、优异射频性能、简化设计(元件少)、小 PCB 占位面积的应用场景。单个 HMC8191 可替代设计中多个窄带混频器。HMC8191 固有的 I/Q 架构提供了出色的镜像抑制能力,从而无需额外昂贵的滤波器来滤除不需要的边带。该混频器采用双平衡结构,还提供卓越的本振到射频(LO-to-RF)隔离度与本振到中频(LO-to-IF)隔离度,并有效降低本振泄漏的影响,确保信号完整性。由于 HMC8191 是无源混频器,它不需要任何直流电源。与有源混频器相比,它具有更低的噪声系数,从而在高精度、高性能应用中提供更优的动态范围。HMC8191 基于砷化镓(GaAs)MESFET 工艺制造,采用 Analog Devices 的混频单元和 90° 混合耦合器。该器件提供紧凑的 4 mm × 4 mm、24 引脚 LCC 封装,工作温度范围为 –40°C 至 +85°C。HMC8191混频器优势:宽频带(6–26.5 GHz RF/LO, DC–5 GHz IF)无源设计 → 零功耗、低噪声、高线性度I/Q 架构 → 天然镜像抑制,省去滤波器双平衡结构 → 高隔离度、低 LO 泄漏小封装 → 适合高密度集成系统
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    2026-02-26
    典型应用电路下图展示了 HMC521ALC4 的典型应用电路。HMC521ALC4 是一款无源器件,无需任何外部电子元件。其本振(LO)和射频(RF)引脚在内部已交流耦合;中频(IFx)引脚则在内部直流耦合。对于不需要直流工作的应用场景,可通过在外部的 IFx 端口串联一个电容来阻断直流,该电容值应根据所需通过的中频频段进行选择。若需支持中频直流工作(即 DC 耦合),则不得超过“绝对最大额定值”部分所规定的 IFx 端口的源电流与灌电流限值。当将 HMC521ALC4 用作上变频器时:若要选择上边带,请将 IF1 引脚连接至混合耦合器的 90° 端口,并将 IF2 引脚连接至 0° 端口。若要选择下边带,请将 IF1 引脚连接至 0° 端口,并将 IF2 引脚连接至 90° 端口。此时,信号从混合耦合器的求和端口输出,而差值端口需接 50 Ω 终端负载。当将 HMC521ALC4 用作下变频器时:若要选择上边带(低侧本振),请将 IF1 引脚连接至 0° 端口,并将 IF2 引脚连接至 90° 端口。若要选择下边带(高侧本振),请将 IF1 引脚连接至 90° 端口,并将 IF2 引脚连接至 0° 端口。此时,信号同样从混合耦合器的求和端口输出,而差值端口需接 50 Ω 终端负载。需要注意:“0° 端口”与“90° 端口”指内部 90° 混合耦合器的两个正交输入/输出端口。正确连接 IF1/IF2 可控制输出的是上边带或下边带,这对抑制镜像频率至关重要。所有未使用的端口(如差值端口)必须端接 50 Ω 以保证性能稳定。
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    2026-02-26
    HMC521ALC4 是一款紧凑型的砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC),采用正交(I/Q)混频架构,符合 RoHS 标准,采用 24 引脚无铅陶瓷芯片载体(LCC)封装。该电子元器件可作为镜像抑制混频器或单边带上变频器使用。其内部包含两个标准的双平衡混频单元和一个 90° 混合耦合器,均基于 GaAs 金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造。该图片为引脚配置图相比传统的混合式镜像抑制混频器和单边带上变频组件,HMC521ALC4 体积更小,并且无需引线键合,支持表面贴装制造技术,便于自动化生产与高密度集成。特性下变频器,工作频率范围:8.5 GHz 至 13.5 GHz变频损耗:典型值 9 dB镜像抑制比:典型值 27.5 dBc本振(LO)到射频(RF)隔离度:典型值 39 dB输入三阶截点(IIP3):典型值 16 dBm中频(IF)带宽宽:直流至 3.5 GHz封装尺寸:3.9 mm × 3.9 mm,24 引脚无铅陶瓷芯片载体(LCC)封装,面积仅 16 mm²应用领域微波及甚小口径终端(VSAT)无线电系统测试测量设备军事电子战(EW)、电子对抗(ECM)以及指挥、控制、通信与情报(C3I)系统
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    2026-02-26
    HMC412BMS8GE 是一款无源双平衡混频器,工作频率范围为 8 GHz 至 16 GHz。该器件在本振(LO)驱动电平为 9 dBm 至 15 dBm 时正常工作,并在整个指定频段内提供 8 dB 的变频损耗。此混频器无需任何外部元件或偏置电路。具备的特征转换损耗:8 dB噪声系数:8 dBLO到RF隔离:44 dBLO到IF隔离:38射频到中频隔离:29 dB输入三阶截距:19 dB1 dB压缩的输入功率:10 dB无外部组件MSOP8GE SMT封装常见应用长途无线电平台微波收音机VSAT
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