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TSL8028N集成射频、前端、多芯片模块特罗芯片的概述

2025/8/4 14:23:57
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TSL8028N是一个单通道、集成射频、前端、多芯片模块，专为不同应用而设计。该设备的工作频率为2 GHz至5 GHz。TSL8028N配置有级联、两级GaAs LNA和基于GaN的SPDT开关。

在高增益模式下，级联的两级LNA和开关在3.6 GHz下提供1.1 dB的低噪声系数和33 dB的高增益，高增益模式的输出三阶截断点（OIP3）为33 dBm（典型值）。在低增益模式下，两级LNA的一级处于旁路状态，在50mA的较低电流下提供14dB的增益。在掉电模式下，LNA关闭，器件消耗4mA。

TSL8028N集成射频、前端、多芯片模块特罗芯片的概述

在发射操作中，当RF输入连接到端接引脚（TX）时，开关在3.6GHz下提供0.3dB的低插入损耗，并处理50dBm的长期演进（LTE）平均功率（8dB峰均比（标准杆数）），用于全寿命操作。

该设备采用符合RoHS标准的紧凑型5毫米x 5毫米32引脚QFN。

TSL8028N集成射频、前端、多芯片模块特罗芯片的概述

特征

@3.6 GHz:1.1 dB[低增益模式]

•3.6 GHz时的OP1dB:21 dBm[高增益模式]

@3.6 GHz:12 dBm[低增益模式]

•工作频率：2至5 GHz

•3600 MHz时的插入损耗：0.3 dB[TX模式]

•3.6 GHz下的开关隔离度：17 dB[RX HG模式]

•3.6 GHz时的RXHG隔离度：48 dB[PD=5V&BP=0V]

•3.6 GHz时的RXLG隔离度：48 dB[PD=BP=5V]

•TCASE=105°C时的高功率处理全寿命

•LTE平均功率[8 dB标准杆数]：50 dBm

•高OIP3[高增益模式]：典型值为32 dBm

•高增益模式电流：5V时典型值为90mA

•低增益模式电流：5V时典型值为50mA

•断电模式电流：5V时典型值为4mA

•正向逻辑控制

•5毫米×5毫米×0.85毫米，32导联QFN

应用

● 4G/5G基础设施无线电、宏基站

● 小细胞和细胞中继器

● 相控阵雷达

● 卫星数字音频无线电服务
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