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CMPA901A035F单片微波集成电路（MMIC）的简述及特征

2025/9/10 14:48:49
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CMPA901A035F是一种基于氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC），位于碳化硅（SiC）基板上。该半导体在9至11 GHz的瞬时带宽内提供35瓦的功率。GaN-HEMT MMIC封装在一个热增强的10引线25 mm x 9.9 mm金属/陶瓷法兰封装中。它在50欧姆的小尺寸封装中提供了高增益和卓越的效率。

CMPA901A035F单片微波集成电路（MMIC）的简述及特征

特征

•35 W典型PSAT

•典型功率附加效率>33%

•22.5 dB大信号增益

•高温操作

应用

•军用雷达

•船用雷达

•气象雷达

•医疗应用
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