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CG2H40010F 10 W，直流-8 GHz，射频功率GaN HEMT晶体管

2025/11/18 10:27:59
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CG2H40010是MACOM一款无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。CG2H40010从28伏轨道运行，为各种射频和微波应用提供了一种通用的宽带解决方案。GaN HEMT具有高效率、高增益和宽带能力，使CG2H40010成为线性和压缩放大器电路的理想选择。该晶体管有拧紧、法兰和焊接、药丸封装两种。

CG2H40010F 10 W，直流-8 GHz，射频功率GaN HEMT晶体管

特征

•工作频率高达8 GHz

•2.0 GHz时18 dB小信号增益

•4.0 GHz时16 dB小信号增益

•17 W典型PSAT

•PSAT的效率为70%

•28V操作

应用

•双向私人电台

•宽带放大器

•蜂窝基础设施

•测试仪器

•适用于OFDM、W-CDMA、EDGE、CDMA波形的A类、AB类线性放大器

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