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兆易创新GD25Q128E串行 NOR Flash 存储器的定义及特征分析

2026/2/2 11:13:30

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一、定义

兆易创新GD25Q128E（128M位）串行闪存支持标准串行外围接口（SPI）和双/四SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O 0（SI）、I/O 1（SO）、I/O 2（WP#）、I/O 3（HOLD#/RESET#）。双I/O数据传输速度为266Mbit/s，四I/O数据传输速率为532Mbit/s。

二、特征

• 128Mbit 串行闪存

16MB 容量

每可编程页 256 字节

• 标准、双线、四线 SPI

标准 SPI：SCLK、CS#、SI、SO、WP#、HOLD#、RESET#

双线 SPI：SCLK、CS#、IO0、IO1、WP#、HOLD#、RESET#

四线 SPI：SCLK、CS#、IO0、IO1、IO2、IO3、RESET#

• 高速时钟频率

30pF 负载下快速读取速度 133MHz

双线 I/O 数据传输速率高达 266Mbps

四线 I/O 数据传输速率高达 532Mbps

• 软件/硬件写保护

通过软件写保护全部/部分存储区域

使用 WP# 引脚启用/禁用保护

顶部/底部块保护

• 耐久性和数据保持

最少 10 万次编程/擦除周期

典型数据保持时间 20 年

• 支持 XiP（原地执行）操作

高速读取减少整体 XiP 指令取指时间

带回绕功能的连续读取进一步减少数据延迟，以快速填充 SoC 缓存

• 快速编程/擦除速度

页编程时间：典型值 0.5ms

扇区擦除时间：典型值 45ms

块擦除时间：典型值 0.15s/0.25s

芯片擦除时间：典型值 50s

• 灵活架构

统一的 4KB 扇区

统一的 32/64KB 块

• 低功耗

典型待机电流 14μA

典型深度掉电电流 1μA

• 高级安全特性

每个器件具有 128 位唯一 ID

串行闪存可发现参数（SFDP）寄存器

3 个 1024 字节安全寄存器，带 OTP 锁

• 单电源电压

全电压范围：2.7-3.6V

• 封装信息

SOP8 208mil

SOP16 300mil

USON8（4×4mm，0.45mm 厚度）

WSON8（6×5mm）

WSON8（8×6mm）

TFBGA-24 球（5×5 球阵列）

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