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TS8223K SPDT 10W/50Wp射频GaN交换机简析

2026/2/27 13:23:02

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TS8223K 是一款特罗半导体第三代对称反射式单刀双掷（SPDT）开关，专为中等功率切换应用设计。

TS8223K 覆盖 300 MHz 至 8.5 GHz 的带宽，在小封装尺寸下提供低插入损耗、高隔离度和高线性度。该器件支持 10 W 连续波（CW）功率，峰值功率能力达 50 W，适用于对低插入损耗、高隔离度和高线性度有要求的应用场景。

电子元器件封装类型

TS8223K 封装于紧凑的无引线四方扁平封装（QFN），尺寸为 3.0 × 3.0 mm²，共 16 引脚塑料封装。

特性

频率范围：300 MHz 至 8.5 GHz

低插入损耗：

0.35 dB @ 2.0 GHz

0.40 dB @ 4.0 GHz

0.45 dB @ 6.0 GHz

高隔离度 S₂₁：

46 dB @ 2.0 GHz

34 dB @ 4.0 GHz

28 dB @ 6.0 GHz

10 W 连续波功率，50 W 峰值功率

快速开关时间：120 ns

低功耗，小于 1 mW

RF 线路无需外部直流隔直电容

所有射频端口在关断状态下均处于开路状态

兼容宽电压电源：2.6…5.25 V

无需提供负电压

常见应用

•无人机数据链

•私人移动和国防无线电

•公共安全手机

•蜂窝基础设施

•数据链路

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