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特罗半导体低噪声放大器型号特征对比汇总

2026/5/14 14:44:46

浏览次数: 1

TL0374J:0.03-3.0GHz GaAs超低噪声放大器

特性

● 1800 MHz时的小信号增益：21.5 dB

● 1800 MHz时的噪声系数：0.35 dB

● 1800 MHz时的OP1dB:18.5 dBm

● 1800 MHz时的OIP3dB:35 dBm

● 5 V典型工作电压

● 工作频率：0.03至3.0 GHz

TL0375J:2.0–5.0 GHz GaAs超低噪声放大器

特性

●3600 MHz时的小信号增益：17.5 dB

● NF@3600MHz：0.4dB

● OP1dB@3600MHz：19.5 dBm

● 3600MHz时的OIP3dB:32.5 dBm

● 5V典型工作电压

● 工作频率：2.0至5.0 GHz

TL0301H:4.9–6.0 GHz高增益超低噪声放大器

特性

● 5.5 GHz时的小信号增益：17.8 dB

● 5.5 GHz时的EVB噪声系数：1 dB

● 5.5 GHz时的IP1dB:-4.5 dBm

● 3.3 V典型工作电压

● 工作频率：4.9至6.0 GHz

TL0302H:5.925–7.125 GHz高增益超低噪声放大器

特性

● 6.6 GHz时的小信号增益：13.6 dB

● 6.6 GHz下的噪声系数：1.4 dB

● 6.6 GHz时的IP1dB:0.5 dBm

● 3.3 V典型工作电压

● 工作频率：5.925至7.125 GHz

TR0329M:2.0–4.2 GHz超低噪声2级旁路低噪声放大器

特性

● 3600 MHz时的小信号增益：34 dB（高增益模式）

@3600 MHz：15 dB（低增益模式）

● NF@3600 MHz：0.5 dB（高增益模式）

@3600 MHz：0.5 dB（低增益模式）

● 3600 MHz时的P1dB:20 dBm（高增益模式）

@3600 MHz：10.5 dBm（低增益模式）

● 5 V典型工作电压

● 工作频率：2.0至4.2 GHz

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