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双5A高速低压MOSFET驱动器NCV81071，带启用功能

2026/9/15 14:32:25
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NCV81071是一款高速双低压侧MOSFET驱动器。它能够向电容性负载提供大的峰值电流。该驱动器可以在米勒平台区提供5A的峰值电流，以帮助减少MOSFET开关转换期间的米勒效应。

双5A高速低压MOSFET驱动器NCV81071，带启用功能

该驱动程序还提供启用功能，使用户在不同应用中具有更好的控制能力。ENA和ENB在引脚1和引脚8上实现，这两个引脚以前在行业标准引脚中没有使用过。

它们在内部被拉高到驱动器的输入电压，以实现有源高逻辑，并且可以保持打开状态以进行标准操作。

特点

•大电流驱动能力±5A

•与电源电压无关的TTL/CMOS兼容输入

•行业标准引脚

•为每个驱动程序启用功能

•1.8 nF负载下的8 ns典型上升时间和8 ns典型下降时间

•输入下降时的典型传播延迟时间为20ns，输入上升时为20ns

•输入电压从4.5 V到20 V

•双输出可以并联，以获得更高的驱动电流

•完全指定为-40°C至+140°C

•AEC-Q100合格，PPAP能力

•这些设备无铅、无卤素/BFR，符合RoHS标准

应用程序

•服务器电源

•电信、数据中心电源

•同步整流器

•开关电源

•DC/DC转换器

•功率因数校正

•电机驱动

•可再生能源、太阳能逆变器

布局指南

NCV81071的开关性能在很大程度上取决于PCB板的设计。在使用这些高速驱动器设计电路板时，建议遵循以下布局设计指南。

将驱动器尽可能靠近被驱动的MOSFET。

将VDD和GND之间的旁路电容器放置在尽可能靠近驱动器的位置，以改善噪声滤波。最好使用片式电容器和片式电阻器等低电感元件。如果使用通孔，请连接几个并联的通孔以降低通孔的电感。

尽量减少导通/源电流和关断/吸收电流路径，以尽量减少杂散电感。否则，在这些具有杂散电感的回路中建立的高di/dt可能会在驱动器和MOSFET栅极端子的输出上引起明显的电压尖峰。

通过并联电源和回路迹线（通量抵消），使电源回路尽可能短。

保持低电平信号线远离具有大量开关噪声的高电平电源线。

放置接地平面以更好地屏蔽噪音。除了噪声屏蔽外，接地平面还可用于散热。
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