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ADI LTC4381具有 9mΩ MOSFET 的低静态电流浪涌抑制器

2021/8/20 13:44:40
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LTC4381是面向低静态电流浪涌抑制器应用的集成解决方案，可保护负载免受高压瞬变的影响。通过钳位内部9mΩ N通道MOSFET的栅极电压来提供过压保护，以便在过压事件期间（例如汽车负载突降）将输出电压限制在安全值。MOSFET安全工作区经过生产测试，确保能够承受高压瞬态应力。可以选择适用于12V和24V/28V系统的固定输出钳位电压。对于任何电压高达80V的系统，则使用可调钳位版本。


LTC4381具有 9mΩ MOSFET 的低静态电流浪涌抑制器


还提供过流保护。内部倍频器可生成与VDS和ID成正比的TMR引脚电流，以便根据MOSFET应力限制过流和过压条件下的工作时间。


LTC4381具有 9mΩ MOSFET 的低静态电流浪涌抑制器


GATE引脚可驱动背靠背MOSFET以实现反向输入保护，从而消除肖特基二极管解决方案的压降和功耗。6µA低工作电流特性适合始终导通和电池供电应用。


LTC4381具有 9mΩ MOSFET 的低静态电流浪涌抑制器

应用


汽车12V、24V和48V系统

航空电子/工业浪涌保护

热插拔/带电插入

电池供电系统的高端开关

汽车负载突降保护


优势和特点


承受高达 100V 的浪涌电压

内部 9mΩ N 通道 MOSFET

保证的安全操作区域：70V、1A 时，为 20ms

低静态电流：6μA 工作电流

通过汽车冷启动运行

宽工作电压范围：4V 至 72V

过流保护

可选内部 28.5V/47V 或可调输出钳位电压

反向输入保护高达 –60 V

可调开启阈值

具有 MOSFET 应力加速功能的可调故障计时器

锁存和重试选项

在故障期间具有低重试占空比

32 引脚 DFN (7mm × 5mm) 封装
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