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英飞凌TDA21590降压栅极驱动器IC的简述及特点说明

2026/9/24 13:57:10
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TDA21590集成功率级包含一个低静态电流同步降压栅极驱动器IC，该IC与控制和同步MOSFET以及有源二极管结构共同封装，实现了类似于肖特基的低Vsd，反向恢复电荷很少。该封装针对PCB布局、热传递、驱动器/MOSFET控制时序以及遵循布局指南时的最小开关节点振铃进行了优化。成对的栅极驱动器和MOSFET组合能够在尖端CPU、GPU和DDR存储器设计所需的较低输出电压下实现更高的效率。

与基于最佳控制器的电感器DCR感测方法相比，内部MOSFET感测实现了更高的电流感测精度。

英飞凌TDA21590降压栅极驱动器IC的简述及特点说明

保护包括IC温度报告和过温保护功能（带热关断的OTP）、逐周期过电流保护（OCP）、控制MOSFET短路检测（HSS-高压侧短路检测）、VDRV和自举欠压保护。TDA21590还具有自举电容的“刷新”功能，以防止自举电容过度放电。

高达1.5 MHz的开关频率可实现高性能瞬态响应，使输出电感器以及输入和输出电容器小型化，同时保持行业领先的效率。

特点

集成驱动器、有源二极管、控制MOSFET Q1和同步MOSFET Q2

片上MOSFET电流传感和报告为5µA/A。

输入电压（VIN）范围为4.25 V至16 V

4.25 V至5.5 V的VCC和VDRV电源

VIN=12 V时，输出电压范围为0.225 V至5.5 V

输出电流能力为90 A

工作频率高达1.5 MHz

增强的故障报告和识别

VDRV欠压锁定（UVLO）

Bootstrap欠压保护

8mV/°C温度模拟输出

过热保护和热关断

逐周期过电流保护（OCP）和标志

控制MOSFET短路（HSS）检测和标记

自举电容器自动补充

与3.3V三态PWM输入兼容

Body Braking™负载瞬态支持

通过EN=低（典型值为32µA）实现节能的深度睡眠模式

小型5毫米x 6毫米x 0.9毫米PQFN包装

无铅RoHS合规包装
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