TDA21590集成功率级包含一个低静态电流同步降压栅极驱动器IC，该IC与控制和同步MOSFET以及有源二极管结构共同封装，实现了类似于肖特基的低Vsd，反向恢复电荷很少。该封装针对PCB布局、热传递、驱动器/MOSFET控制时序以及遵循布局指南时的最小开关节点振铃进行了优化。成对的栅极驱动器和MOSFET组合能够在尖端CPU、GPU和DDR存储器设计所需的较低输出电压下实现更高的效率。
与基于最佳控制器的电感器DCR感测方法相比，内部MOSFET感测实现了更高的电流感测精度。
保护包括IC温度报告和过温保护功能（带热关断的OTP）、逐周期过电流保护（OCP）、控制MOSFET短路检测（HSS-高压侧短路检测）、VDRV和自举欠压保护。TDA21590还具有自举电容的“刷新”功能，以防止自举电容过度放电。
高达1.5 MHz的开关频率可实现高性能瞬态响应，使输出电感器以及输入和输出电容器小型化，同时保持行业领先的效率。
特点
集成驱动器、有源二极管、控制MOSFET Q1和同步MOSFET Q2
片上MOSFET电流传感和报告为5µA/A。
输入电压（VIN）范围为4.25 V至16 V
4.25 V至5.5 V的VCC和VDRV电源
VIN=12 V时，输出电压范围为0.225 V至5.5 V
输出电流能力为90 A
工作频率高达1.5 MHz
增强的故障报告和识别
VDRV欠压锁定（UVLO）
Bootstrap欠压保护
8mV/°C温度模拟输出
过热保护和热关断
逐周期过电流保护（OCP）和标志
控制MOSFET短路（HSS）检测和标记
自举电容器自动补充
与3.3V三态PWM输入兼容
Body Braking™负载瞬态支持
通过EN=低（典型值为32µA）实现节能的深度睡眠模式
小型5毫米x 6毫米x 0.9毫米PQFN包装
无铅RoHS合规包装