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芯源MPQ8633A降压变换器的部分相关操作分析

2026/9/24 14:05:52
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COT控制

MPQ8633A采用恒定导通时间(COT)控制来实现快速的负载瞬态响应。在图1中,它显示了MPQ8633A控制级的详细信息。

芯源MPQ8633A降压变换器的部分相关操作分析

图1

运算放大器(AMP)校正FB和VREF之间的任何误差电压。在AMP的帮助下,MPQ8633A可以在整个负载范围内提供出色的负载调节,无论是在强制CCM还是脉冲跳过模式下运行。

专用的RGND引脚有助于提供差分输出电压远程感测功能。这对遥感迹线应保持低阻抗,以实现最佳性能。

MPQ8633A具有内部RAMP补偿,因此它支持低ESR MLCC输出电容器解决方案。自适应内部RAMP经过优化,使得MPQ8633A在整个工作输入/输出电压范围内稳定,输出L/C滤波器设计得当。

PWM操作

在图2中,它显示了PWM是如何生成的。

芯源MPQ8633A降压变换器的部分相关操作分析

图2

AMP校正FB和REF之间的任何误差,并产生相当平滑的直流电压(COMP)。内部RAMP叠加在COMP上。将叠加的COMP与FB信号进行比较。每当FB降至叠加的COMP以下时,它就会接通集成的高压侧MOSFET(HS-FET)。HS-FET在固定的导通时间内保持导通。固定导通时间由输入电压、输出电压和选定的开关频率决定。导通期结束后,HS-FET关断。当FB降至叠加COMP以下时,HS-FET再次导通。通过重复该操作,MPQ8633A调节输出电压。当HS-FET处于关断状态时,集成低压侧MOSFET(LS-FET)导通,以尽量减少传导损耗。如果HS-FET和LS-FET同时接通(直通),则VIN和PGND之间会发生完全短路。为了避免直通,在HS-FET关断和LS-FET接通时段或LS-FET关断与HS-FET接通时段之间在内部产生死区时间(DT)。

CCM操作

当输出电流较高,电感器电流始终高于零安培时,会出现连续导通模式(CCM)(见图1)。MPQ8633A还可以配置为在输出电流较低时以强制CCM操作运行(详见模式选择部分)。

在CCM操作中,开关频率相当恒定(PWM模式),因此输出纹波在整个负载范围内几乎保持不变。


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