LT3757的高速运行需要仔细注意电路板布局和元件放置。封装的暴露焊盘是IC的唯一GND端子，对IC的热管理很重要。
因此，在暴露的焊盘和电路板的接地平面之间实现良好的电接触和热接触至关重要。为了使LT3757能够提供全部输出功率，必须提供良好的热路径来消散封装内产生的热量。建议使用印刷电路板中的多个通孔将热量从IC传导出去，并尽可能多地传导到铜平面中。
为了防止辐射和高频谐振问题，连接到IC的组件的正确布局至关重要，特别是具有较高di/dt的功率路径。以下不同拓扑的高di/dt环路应尽可能保持紧密，以减少电感性振铃：
在升压配置中，高di/dt环路包含输出电容器、感测电阻器、功率MOSFET和肖特基二极管。
在反激式配置中，高di/dt初级回路包含输入电容器、初级绕组、功率MOSFET和感测电阻器。高di/dt次级回路包含输出电容器、次级绕组和输出二极管。
在SEPIC配置中，高di/dt环路包含功率MOSFET、感测电阻器、输出电容器、肖特基二极管和耦合电容器。
在反相配置中，高di/dt环路包含功率MOSFET、感测电阻器、肖特基二极管和耦合电容器。
通过直接测量器件端子上的漏极到源极电压来检查功率MOSFET上的应力（将单个示波器探头的接地直接参考PC板上的源极焊盘）。当心电感性振铃，这可能会超过MOSFET的最大额定电压。如果无法避免这种振铃，并且超过了设备的最大额定值，请选择更高电压的设备或指定雪崩额定功率MOSFET。
小信号分量应远离高频开关节点。为了实现最佳的负载调节和真正的遥感，输出电压传感电阻器的顶部应独立连接到输出电容器的顶部（开尔文连接），远离任何高dV/dt迹线。将分压器电阻器放置在LT3757附近，以保持高阻抗FBX节点短路。
下图显示了8V至16V输入、24V/2A输出升压转换器的建议布局。
