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LTC7061带浮地和可调死区的100V半桥驱动器

2021/9/27 11:03:53

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LTC7061驱动两个采用半桥配置的N通道MOSFET，电源电压高达100V。高端和低端驱动器可以驱动具有不同接地基准的MOSFET，提供出色的瞬变抗扰度。

其功能强大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉MOSFET驱动器可以使用较大的栅极电容高压MOSFET。其他特性包括UVLO、TTL/CMOS兼容型输入、可调导通/关闭延迟和直通保护。

对于本产品系列中的相似驱动器，请参阅数据手册中的图表。

优势和特点

独特的对称浮栅驱动器架构

高抗扰度，可承受 ±10 V 接地差

100 V 最大输入电压（独立于 IC 电源电压）VCC

5 V ~ 14 V VCC 工作电压

4 V ~ 14 V 栅极驱动器电压

0.8Ω 下拉， 1.5Ω 上拉以快速开启/关闭

自适应直通保护

可调死区时间

TTL/CMOS 兼容输入

VCC UVLO/OVLO 和浮动电源 UVLO

双驱动 N 通道 MOSFET

漏极开路故障指示器（VCC UVLO/OVLO、栅极驱动器 UVLO 和热关断）

提供耐热性能增强型 12 引脚 MSOP

AEC-Q100 汽车认证正在进行中

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