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HMC349AMS8G 高隔离度、非反射、GaAs、SPDT开关

2022/11/11 11:20:10

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HMC349AMS8G是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(PHEMT)、单刀双掷(SPDT)开关电子元件，额定频率范围为100 MHz至 4 GHz。

HMC349AMS8G非常适合蜂窝基础设施应用，可实现57 dB高隔离、0.9 dB低插入损耗、52 dBm高输入IP3和34 dBm高输入P1dB。

HMC349AMS8G采用3 V至5 V单正电源供电，提供CMOS/TTL兼容控制接口。

HMC349AMS8G采用带exposed pad的8引脚超小型封装。

它具备的特性如下：

非反射型，50Ω设计

高隔离度：57 dB至2 GHz

低插入损耗：0.9 dB至2 GHz

高输入线性度

1 dB功率压缩（P1dB）：典型值为34 dBm

三阶截距（IP3）：典型值为52 dBm

高功率处理

33.5 dBm通过路径

26.5 dBm端接路径

单正电源：3 V至5 V

CMOS-/TTL兼容控制

全关闭状态控制

8引脚迷你小外形封装，带裸露焊盘（mini_SO_EP）

因此，常常被应用于：

蜂窝/4G基础设施

无线基础设施

移动无线电

测试设备

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