MCP651S 50 MHz，200µV运算放大器，mCal
2022/12/1 14:46:26
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MCP65x系列运算放大器具有低偏移。通电时，这些运算放大器使用mCal进行自校准。一些封装选项还提供一个校准/芯片选择引脚，该引脚支持低功率操作模式，在重新启动正常操作时进行偏移校准。这些放大器针对高速、低噪声和失真、单电源操作以及轨对轨输出和包含负轨的输入进行了优化。AEC-Q100 1级认证可用于该设备。
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2025-12-23
AD7621 提供四种工作模式：宽带快速（Wideband warp）、快速（Warp）、正常（Normal）和脉冲（Impulse）。不同模式适用于不同应用场景。宽带快速模式（WARP=高，IMPULSE=高）与快速模式（WARP=高，IMPULSE=低）均支持最高 3 MSPS 采样率，但仅当两次转换间隔 ≤1 ms 时才能保证全部标称精度。若间隔 1 ms（上电后），第一次转换结果应丢弃。这两种模式适合既要求高精度又需要高采样率的场合；宽带快速模式的线性度和 THD 略优于快速模式。正常模式（WARP=低，IMPULSE=低）最高采样率 2 MSPS，对两次转换间隔无时间限制，适合异步采样的数据采集系统等需要高精度和较高采样率的应用。脉冲模式（WARP=低，IMPULSE=高）功耗最低，转换完成后 ADC 自动关断部分电路，最大吞吐率 1.25 MSPS，非常适合电池供电的节能应用。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025-12-23
应用信息典型应用电路图 86 给出了 HMC521ALC4 的典型应用电路。HMC521ALC4 为无源器件，无需任何外部元件。LO 与 RF 引脚内部已做交流耦合；IFx 引脚内部为直流耦合。若应用无需直流工作，可在此端口外接串联电容进行直流隔离，电容值按所需中频范围选取。若需要 IF 直流工作，则不得超过“绝对最大额定值”表中给出的 IFx 源/灌电流额定值。上变频时的边带选择选用上边带：将 IF1 接混合器的 90° 口，IF2 接 0° 口；选用下边带：将 IF1 接混合器的 0° 口，IF2 接 90° 口。输入信号来自混合器的和口，差口接 50 Ω 端接。下变频时的边带选择低本振（上边带）：IF1 接混合器 0° 口，IF2 接 90° 口；高本振（下边带）：IF1 接混合器 90° 口，IF2 接 0° 口。输出信号取自混合器的和口，差口同样接 50 Ω 端接。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025-12-23
HMC966LP4E 是一款紧凑型 GaAs MMIC I/Q 下变频器，采用无铅、符合 RoHS 标准的 SMT 封装。该器件在小信号下提供 14 dB 的转换增益、2.5 dB 的噪声系数，并在整个频段内实现 40 dBc 的镜像抑制。HMC966LP4E 内部结构为 LNA 后接镜像抑制混频器，混频器由一个主动 ×2 倍频器驱动。镜像抑制混频器省去了 LNA 后的滤波器，并抑制了镜像频率处的热噪声。芯片提供 I 和 Q 两路混频输出，需外接 90° 移相器以选择所需边带。HMC966LP4E 体积远小于传统的混合式镜像抑制下变频组件，且兼容表面贴装生产工艺。具备的特征转换增益：14 dB图像抑制：40 dBc2 LO到RF隔离：40 dB噪声系数：2.5 dB输入IP3:0 dBm24芯4X4毫米SMT封装：16mm²HMC966LP4E非常适合：•点对点和点对多点无线电•军用雷达、电子战和电子情报•卫星通信如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025-12-23
图 7 所示的中频（IF）放大器采用差分开集电极输出（IF+ 与 IF-），并提供一个用于调整内部偏置的引脚 IFBIAS。IF 输出端必须通过供电电压 Vcc 进行偏置，Vcc 经匹配电感 L1、L2 引入；也可通过变压器中心抽头供电。每个 IF 输出引脚约吸收 67 mA 直流电流（两路共 134 mA）。为获得最佳性能，L1、L2 建议选用高 Q 值绕线片式电感；若成本受限，可改用多层片式电感，性能会略有下降。图1图2单端最佳性能为了获得最优单端性能，差分 IF 输出需经外部 IF 变压器或分立 IF 巴伦电路合成。评估板（见图 1 与图 2）采用 4:1 匝比 IF 变压器，同时完成阻抗变换与差分-单端转换。也可省去变压器，直接驱动差分滤波器或差分放大器。IF 输出阻抗在中频可等效为 950 Ω 电阻与 1.2 pF 电容并联，小信号模型见图 8。表 3 给出了随频率变化的差分 IF 输出阻抗数据，该数据以封装引脚为参考（无外接元件），已包含芯片及封装寄生效。如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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2025-12-23
LTC5551 是一款工作电压 2.5 V–3.6 V 的混频器，专为需要极高动态范围的射频下变频应用而优化。其射频（RF）频率覆盖 300 MHz–3.5 GHz，本振（LO）频率范围 200 MHz–3.5 GHz。该器件在保持低功耗的同时，提供非常高的输入三阶截点（IIP3）和 1 dB 压缩点（P1dB）。典型应用为 700 MHz–2.7 GHz 频段基站接收机。RF 输入可在宽频段内完成匹配，中频（IF）可用至 1 GHz。将 ISEL 引脚拉高即可进入低功耗模式，功耗降低约 1/3，但 IIP3 会相应降至约 +29 dBm。通过 EN 引脚可对混频器进行开关控制。LTC5551 的高集成度最大程度地降低了整体方案成本、占用板面积及系统级差异，同时为严苛的接收机应用提供业界最高的动态范围。特征+36dBm输入IP32.4dB转换增益低噪声系数：10dB+18dBm超高输入P1dB670mW功耗2.5V至3.6V操作50Ω单端射频和本振输入0dBm LO驱动电平低电量模式–40°C至105°C操作（TC）解决方案规模小启用引脚16引脚（4mm×4mm）QFN封装应用GSM、LTE、LTE-Advanced基站中继器DPD观测接收机公共安全无线电、军事和国防航空电子设备无线电和空中交通预警和防撞系统应答机有源相控阵天线空白频段无线电接收机如有型号采购及选型需求，可直接联系兆亿微波电子元件商城。