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MA4AGSW2射频开关集成电路的性能分析

2023/7/12 14:28:54
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MA4AGSW2是一种铝砷化镓，单刀双掷（SPDT），PIN二极管开关。该开关具有使用MACOM的异质结技术形成的增强型AlGaAs阳极。AlGaAs技术产生的开关比使用传统GaAs工艺制造的器件具有更小的损耗。在50GHz下可以实现多达0.3dB的插入损耗降低。该器件是在OMCVD外延晶片上使用设计用于高器件均匀性和极低寄生效应的工艺制造的。芯片内的二极管表现出低串联电阻、低电容和快速开关速度。它们用氮化硅完全钝化，并有一个额外的聚合物层用于防刮。保护涂层可防止在处理和组装过程中损坏二极管结和芯片阳极空气桥。需要片外偏置电路。

MA4AGSW2射频开关集成电路的性能分析

AlGaAs的高电子迁移率和所用PIN二极管的低电容使该开关成为快速响应、高频、多掷开关设计的不错选择。AlGaAs PIN二极管开关是雷达系统、辐射计、测试设备和其他多组件组件中开关阵列的理想选择。
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