LTC4450 是一款使用集成 N 沟道功率 MOSFET 的高性能肖特基二极管替代产品。它可以轻松地将电源“或”在一起，以提高系统可靠性，并防止反向传导。与肖特基二极管相比，LTC4450 将正向电压调节在 15mV，以最大限度地减少功率损耗。稳压可确保在二极管“或”应用中实现无振荡的平滑电流传输。当功率 MOSFET 完全增强时，晶体管的 RDS(ON) 为 7mΩ，额定正向传导电流高达 12A，功耗 1W。具有快速瞬态响应的高性能栅极驱动器可最大限度地减少正向功耗和反向电流。VCC 输入允许 VIN 工作在低电压应用中。LTC4450 采用小型、16 引脚 2mm × 3mm LQFN 封装。
特性
通过替换无外部元件的功率肖特基二极管来降低功耗
内部 12A、7mΩ N-Channel MOSFET
15mV 稳压正向电压
20μA 工作电流，0.8μA 关断电流
具有 VCC > 2.75V 的 0V 至 18V 宽输入范围
快速开启可最大限度地减少电压降
快速反向恢复时间可将反向瞬态电流最小化
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