嗨,欢迎来到兆亿微波官方商城!
服务热线: 010-82888379  13718660290
购物车图片 购物车 ( )
全部商品分类

MAX485EESA+T低功耗收发器的概述及特性

2024/7/23 17:29:35
浏览次数: 26

MAX481E、MAX483E、MAX485E、MAX487E-MAX491E和MAX1487E是低功耗收发器,适用于恶劣环境中的RS-485和RS-422通信。每个驱动器输出和接收器输入都受到保护,可防止±15kV静电放电(ESD)冲击,不会发生闩锁。这些器件包含一个驱动器和一个接收器。MAX483E、MAX487E、MAX488E和MAX489E具有低摆率驱动器,可充分降低EMI并减少因电缆端接不当引起的反射,从而实现高达250kbps的无误差数据传输。MAX481E、MAX485E、MAX490E、MAX491E和MAX1487E的驱动器摆率不受限制,因此传输速率高达2.5Mbps。

这些收发器在空载时或满载禁用驱动器时的电源电流消耗低至120µA(参见“选型指南”)。此外,MAX481E、MAX483E和MAX487E在低电流关断模式下的电流消耗仅为0.5µA。所有器件均采用+5V单电源供电。

驱动器具有短路限流功能,并且通过热关断电路将其输出置于高阻抗状态,以防止功耗过大。接收器输入具有故障安全特性,可在输入开路时确保输出保持逻辑高电平。

应用

• 工业控制局域网

• 电平转换器

• 低功耗RS-422收发器

• 低功耗RS-485收发器

• 适用于EMI敏感应用的收发器


在线留言询价
推荐阅读
  • 点击次数: 1
    2026-09-22
    二极管是电子电路中最基础且应用广泛的半导体元器件,不同类型的二极管根据其结构和特性,适用于不同的应用场景。下述是肖特基二极管、稳压二极管、快恢复二极管的典型适用场景分析。可供参考肖特基二极管特点由金属与半导体直接接触形成肖特基势垒,没有传统PN结。低正向压降,一般为0.2~0.4V,显著低于普通硅PN结二极管(约0.7V)。非常快的开关速度,无少数载流子存储效应,反向恢复时间极短。反向漏电流较大,且随温度升高泄漏电流增加。典型适用场景开关电源整流电路:利用其低压降和快速响应,提高转换效率,减少能量损耗和发热。电池保护和低压电路:低正向压降减少电池供电的浪费,延长续航时间。高频信号处理:在射频检测、混频等高频场合应用广泛。防反接保护:快速导通防止电路因接反而受损。稳压二极管特点设计通过反向击穿电压(齐纳击穿)实现电压稳压功能。可以在反向击穿区工作,维持稳定的电压输出。功率范围广,从小信号稳压器到大功率稳压模块。典型适用场景电压稳压和参考电压源:为电路提供稳定电压,防止电压波动影响性能。过压保护:保护后级电路免受瞬态高压冲击。偏置电路:为晶体管或其他元件提供精确偏置电压。浪涌抑制器件:对信号线路和电源线有瞬态电压抑制作用。快恢复二极管特点基于PN结设计,但优化了反向恢复时间,能够快速从导通状态恢复到截止状态。反向恢复时间比普通整流二极管短得多,通常为几十纳秒。正向压降较普通二极管相近,一般在0.7V左右。典型适用场景高速开关电源:支持高频率开关操作,降低逆恢复损耗,提升效率。脉冲整流电路:如开关逆变器、脉冲宽度调制电路。电机驱动和变频器:需要快速切换的功率电子设备。高频整流应用:相较普通二极管,减少开关损耗和电磁干扰。选用建议需要低压失、快速响应的整流用,应优先选用肖特基二极管,尤其是在低压大电流环境中。需要稳定电压源或过压保护时,选择稳压二极管是最佳方案。对...
  • 点击次数: 1
    2026-09-22
    肖特基二极管是一种金属与半导体直接接触形成的二极管,因其独特的结构和优良的电气性能,广泛应用于高频整流、电源保护、开关电路等领域。肖特基二极管的工作原理肖特基二极管的结构不同于传统PN结二极管,其由金属与N型半导体直接接触形成肖特基势垒,没有PN结的空乏区。肖特基势垒形成:金属与半导体接触界面存在势垒高度,阻碍电子从金属流入半导体或反向流动。正向导通:当二极管正向偏置时,电子能克服肖特基势垒从N型半导体进入金属,电流流通。由于没有PN结中载流子复合,载流子注入少,开启电压较低。反向截止:反向偏置时,势垒高度阻挡电子流,二极管截止。漏电流比晶体二极管大但仍较低。肖特基二极管的主要特性1. 低正向压降肖特基二极管的正向压降一般在0.2~0.4V,明显低于硅PN结二极管约0.7V。这一点使其在低压电源转换中,可以显著降低导通损耗。2. 快速开关速度由于没有少数载流子的存储效应,肖特基二极管翻转时间极短,适合高频开关电路,如开关电源、电机驱动等。3. 反向漏电流相对较大相比PN结二极管,肖特基二极管在反向偏置时的漏电流较大,且随温度升高漏电流指数增加。因此在高温环境使用时需注意。4. 电流密度高、体积小肖特基二极管还能承受较高的电流密度,且封装小巧,适合体积和效率要求严苛的应用。肖特基二极管的选型要点1. 正向电流(I_F)根据负载电流大小选择肖特基二极管的最大正向电流参数,宜留有一定裕量,避免器件过载和寿命缩短。2. 最大反向电压(V_R)根据电路最大反向电压选择合适的反向耐压型号,确保在电路突发高压情况下不击穿。一般选额定电压至少为工作电压的1.5~2倍。3. 正向压降(V_F)选择低正向压降型号,可以有效减少导通损耗,提升电路效率。特别在低电压供电和高频开关场合,低 V_F 非常关键。4. 反向恢复时间(t_rr)肖特基二极管恢复时间极短,...
  • 点击次数: 2
    2026-09-22
    在现代电子设备中,低压大电流的应用场景非常常见,如电源管理、直流电机驱动、锂电池保护电路等。MOS 管作为电路中的重要开关器件,其选型和使用直接影响系统效率、稳定性及寿命。低压大电流场景下 MOS 管选型原则1. 低导通电阻 (R_DS(on))导通损耗的大小主要由 MOS 管的导通电阻决定,导通时的电流乘以 R_DS(on) 就形成了功率损耗。低压大电流应用必须选择 R_DS(on) 尽可能小的 MOS 管,以减小功耗和热量积累。关注参数:选购时重点查看数据手册中的 R_DS(on) 值,且需注意其对应的栅压(V_GS)条件,确保实际驱动电压能达到其低阻状态。案例:一般而言,逻辑级 MOS 管在5V左右驱动电压时能获得较低 R_DS(on),适合低压系统。2. 承受电流能力除了导通电阻,还应注意 MOS 管的最大持续漏极电流(I_D)和脉冲电流规格,确保其有足够的裕量满足大电流需求,从而避免过载损坏。3. 栅极电荷(Q_g)栅极电荷影响开关损耗及开关速度,在大电流开关频率较高的情况下,选择栅极电荷较小的 MOS 管,可以减少开关损耗。4. 封装热阻封装的导热性能也影响 MOS 管散热能力,低热阻封装(如裸芯片、双面散热封装、扁平封装)能更有效降低结温,提升可靠性。降低导通损耗与发热的设计策略1. 串并联使用多片 MOS 管并联:通过多个 MOS 管并联分担电流,有效降低单管电流负担。并联时需注意匹配 R_DS(on),防止电流不均,部分并联电阻可平衡电流分配。串联:一般用于提升耐压能力,低压大电流场景不常用。2. 充分驱动栅极充分的栅极驱动电压能将 MOS 管压入低 R_DS(on) 区域,减少导通电阻。使用高电压驱动(非逻辑级驱动)的 MOS 管,可明显降低导通电阻,减少功耗。设计合理的栅极驱动电路,提升开关速度,减少过渡状态的损耗。3. 合理散热设计加强散热片设计,增...
  • 点击次数: 2
    2026-09-22
    金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)是现代电子电路中广泛应用的重要器件。根据沟道类型的不同,MOSFET 分为 N 沟道 MOS 管(NMOS)和 P 沟道 MOS 管(PMOS)。一、N沟道与P沟道MOS管的工作原理1. N沟道MOS管(NMOS)NMOS 是一种以 N 型沟道为载流通道的场效应管。在 NMOS 中,源极和漏极都掺杂为 N 型半导体,衬底为 P 型半导体。工作原理:当栅极电压(V_GS)高于源极电压一定阈值(V_TH)时,会在 P 型衬底表面形成反型层,形成一个电子浓度较高的 N 型沟道。电子可以从源极流向漏极,实现导通。电子作为载流子,由于电子迁移率高,NMOS 具有较低的导通电阻及较快的开关速度。导通条件:V_GS > V_TH(V_TH 为正阈值电压)2. P沟道MOS管(PMOS)PMOS 是以 P 型沟道为载流通道的场效应管。源极和漏极掺杂为 P 型半导体,衬底为 N 型半导体。工作原理:当栅极电压低于源极电压一定阈值(负阈值电压,V_TH)时,会在 N 型衬底表面形成反型层,产生 P 型沟道,使空穴可以作为载流子从源极流向漏极。由于空穴的迁移率一般低于电子,PMOS 的导通电阻和开关速度一般较 NMOS 差。导通条件:V_GS < V_TH(V_TH 为负阈值电压)二、N沟道与P沟道MOS管的区分方法1. 符号及极性区别符号区别:NMOS 的箭头指向衬底(即源极指向P区),表示电子流入;PMOS 的箭头则指向源极(P 源极指向 N 基体),表示空穴流入。极性区别:NMOS 需要正栅压才能导通,PMOS 需要负栅压才能导通。2. 电路连接和偏置电压NMOS 通常源极接地(负极),栅极加正电压控制导通,漏极接负载再连接电源正极。PMOS 通常源极接电源正极,栅极加低电平(接地)控制导通,漏极接负载后接地。3. 测试方...
  • 点击次数: 6
    2026-09-21
    LTM4620是一款完整的双13A输出开关模式DC/DC电源。封装中包括开关控制器、功率FET、电感器和所有支持组件。LTM4620的输入电压范围为4.5V至16V,支持两个输出,每个输出的输出电压范围为0.6V至2.5V,由单个外部电阻器设置。其高效设计为每个输出提供高达13A的连续电流。只需要几个输入和输出电容器。该设备支持频率同步、多相操作、突发模式操作和输出电压跟踪,用于电源轨排序,并具有用于设备温度监测的板载温度二极管。高开关频率和电流模式架构能够对线路和负载变化做出非常快的瞬态响应,而不会牺牲稳定性。故障保护功能包括过压和过流保护。该电源模块采用专有的节省空间和热增强的15mm×15mm×4.41mm LGA封装和15mm×15mm?.01mm BGA封装,带有集成顶侧散热器。LTM4620提供SnPb(BGA)或符合RoHS标准的端子表面处理。特性完整的独立双输出电源双13A或单26A输出宽输入电压范围:4.5V至16V输出电压范围:0.6V至2.5V最大直流输出总误差±1.5%多个LTM®4620s的多相均流,最高可达100A差分远程感测放大器电流模式控制/快速瞬态响应可调开关频率过电流折叠保护频率同步内部温度监测器输出过压保护SnPb或符合RoHS标准的表面处理热增强型(15mm×15mm×4.41mm)LGA封装和(15mm×15mm×5.01mm)BGA封装应用电信和网络设备存储卡和ATCA卡工业设备
热门分类
关于我们

───  公众号二维码  ───

兆亿微波商城微信公众号

兆亿微波商城www.rfz1.com是一个家一站式电子元器件采购平台,致力于为广大客户提供高质量、高性能的电子元器件产品。产品覆盖功放器件、射频开关、滤波器、混频器、功分器、耦合器、衰减器、电源芯片、电路板及射频电缆等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、BOM配单及提供产品配套资料等,为客户提供一站式供应链采购服务。 

  • 品质 • 正品行货 购物无忧
  • 低价 • 普惠实价 帮您省钱
  • 速达 • 专业配送 按时按需
Copyright ©2020 - 2021 兆亿微波科技有限公司
X
1

QQ设置

    1
3

SKYPE 设置

4

阿里旺旺设置

5

电话号码管理

电话 电话 电话
010-82888379
    1
6

二维码管理

    1
返回顶部
展开