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意法半导体推出采用SO-36W宽体双列直插式封装的车规栅极驱动器

2025/5/13 13:55:00
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意法半导体推出革命性车规级栅极驱动器STGAP4S,为电动汽车电驱系统提供全维度升级方案。 该器件突破性实现SiC MOSFET与IGBT的跨平台兼容,单颗驱动器即可覆盖从50kW到300kW的逆变器功率范围,使电驱系统设计无需因功率器件迭代而重构硬件。

STGAP4S集成可配置的短路保护、过流预警及退磁检测功能,配合内置的自检诊断模块,形成符合ISO 26262 ASIL D级要求的完整安全链。

意法半导体推出采用SO-36W宽体双列直插式封装的车规栅极驱动器

STGAP4S的设计灵活性归功于输出电路,该电路允许将高压功率级连接到外部MOSFET的推挽式缓冲电路,以调整栅极电流。这种架构让工程师能够利用STGAP4S及其丰富的功能来控制不同额定功率的逆变器,包括多个功率开关管并联的高功率设计。该驱动器仅用非常小的MOSFET,就可以产生高达几十安的栅极驱动电流,并能够处理高达1200V的电压。

在驱动器的重要功能中,诊断功能有助于对安全要求严苛的应用达到系统安全完整性标准ISO 26262 D级 (ASIL-D) 认证。自检功能可以验证连接的完整性、栅极驱动电压和去饱和以及过流检测等内部电路是否正常工作。主控制器通过芯片的SPI端口读取诊断状态寄存器内的数据。此外,两个硬件诊断引脚也可以提供故障状态信号。

STGAP4S具有主动米勒箝位、欠压和过压锁定 (UVLO、OVLO) 以及去饱和、过电流和过热检测等保护功能,实现稳健可靠的设计,满足严格的可靠性要求。该产品具有很高的设计灵活性,准许设计人员通过SPI端口配置一些参数,包括保护阈值、死区时间、去毛刺滤波。

STAGP4S还集成了一个带全面保护功能的反激电源控制器,为高压侧电路供电以生成正负栅极驱动电压,提高SiC MOSFET的开关速度和能效。高压侧和低压侧电路之间有6.4kV的电隔离能力。

EVALSTGAP4S评估板现已上市,板载两个STGAP4S驱动器,帮助设计人员在半桥应用中评估驱动器的功能。该设计让用户能够轻松地将更多电路板连接在一起,以评估更复杂的拓扑结构,例如,三相逆变器。

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