全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司，近期宣布推出针对工业与消费市场的OptiMOS™ 7功率MOSFET系列。该系列基于针对应用优化的设计理念，旨在应对各行业高功耗应用对功率密度、效率和可靠性的更高要求。新品进一步扩展了其现有的OptiMOS™ 7产品组合，为高性能开关与电机驱动等特定应用场景提供了更为理想的解决方案。
基本特性
OptiMOS™ 7 25 V：专为开关应用优化
●场景导向：突破传统通用设计思路，专为中间总线转换器（IBC） 和开关模式电源（SMPS） 等开关应用量身定制。
●技术分类：针对硬开关拓扑和软开关拓扑分别进行优化，提供出色的米勒比、性能指数（FOM）或超低的RDS(ON)45和FOMQg。
●性能提升：相较于OptiMOS™ 5 25V，其RDS(ON)和FOM最多可降低20% 和提升25%。
OptiMOS™ 7 40 V：专为电机驱动优化
●性能增强：专为电机驱动设计，具备更低的RDS(on)、更强大的栅极特性和抗噪性能，其安全工作区（SOA）扩大了三倍。
●稳定性提升：较低的跨导特性优化了电流分布，有助于减少电压过冲，提升在恶劣工况下的性能。
●通用特性：该系列MOSFET通常具备极低的导通电阻、出色的开关性能和高可靠性。
技术难点及应对方案
●难点一：通用型MOSFET难以满足多样化的特定场景需求
行业挑战：不同应用（如高频开关与电机驱动）对MOSFET的性能要求侧重点不同，通用方案往往无法在各场景下都达到最优。
应对方案：英飞凌采用针对应用优化的设计思路，推出了分别针对开关应用和电机驱动进行专门优化的25V与40V产品线，从底层设计上契合特定场景的核心需求。
●难点二：提升功率密度与系统效率存在瓶颈
行业挑战：随着设备小型化和能效要求提高，如何在有限空间内实现更高功率输出和更低能耗是一大挑战。
应对方案：OptiMOS™ 7通过降低RDS(ON)和优化FOM（品质因数）等关键参数，有效减少了导通损耗和开关损耗，从而提升系统整体效率，支持更高功率密度设计。
●难点三：确保在恶劣环境下稳定运行
行业挑战：工业环境及电机驱动等应用常伴有噪声干扰、电压波动及高温等恶劣工况，对器件的可靠性和鲁棒性要求严苛。
应对方案：OptiMOS™ 7 40V版本通过增强栅极特性、抗噪性能以及显著扩大安全工作区（SOA），确保了在苛刻条件下依然能稳定、可靠地工作。
应用领域
●工业领域：适用于电机驱动、电动工具、园艺设备以及工业电源（如中间总线转换器）。
●通信与计算：广泛应用于电信设备、传统服务器的开关模式电源（SMPS）以及支持AI核心供电的48V电压转换。
●消费电子：可用于各类需要高效电源管理和电机控制的消费类产品。
英飞凌推出的针对工业与消费类应用的OptiMOS™ 7功率MOSFET系列，凭借其针对特定应用场景的深度优化设计，在功率密度、效率及可靠性方面实现了显著提升。这体现了功率半导体行业从提供通用器件向提供定制化解决方案演进的重要趋势，将为下一代高效紧凑的电力电子设备提供核心支撑。
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