您现在的位置：首页 > 新闻资讯 > 行业新闻

TI（德州仪器）预推出LMK1C1108-Q1汽车级时钟缓冲器系列器件

2026/4/3 14:17:19

浏览次数: 0

LMK1C1108-Q1汽车级时钟缓冲器系列器件说明

LMK1C110x-Q1 是德州仪器 (TI) 的一款模块化、高性能、低偏斜、通用时钟缓冲器系列器件。整个系列采用模块化方法设计。五种不同的扇出选项：1:2、1:3、1:4、1:6 和 1:8。

该系列所有器件均具有相同的高性能特性，如低附加抖动、低偏斜和宽工作温度范围。

LMK1C110x-Q1 支持同步输出使能控制 (1G)，当 1G 为低电平时，输出切换为低电平状态。这些器件具有失效防护输入，可防止在没有输入信号的情况下输出发生振荡并允许在提供 VDD 之前输入信号。

LMK1C110x-Q1 系列具有汽车 1 级（–40°C 至 125°C）和 AEC-Q100 认证。

特性

• 高性能 1:2、1:3、1:4、1:6 和 1:8 LVCMOS 时钟缓

冲器

• 输出偏斜极低：– LMK1C1102-Q1、LMK1C1103-Q1 和

LMK1C1104-Q1

• < 50ps– LMK1C1106-Q1 和 LMK1C1108-Q1

• < 55ps

• 极低的附加抖动：– LMK1C1102-Q1、LMK1C1103-Q1 和

LMK1C1104-Q1

• VDD = 3.3V 时，典型值为 7.5fs

• VDD = 2.5V 时，典型值为 10fs

• VDD = 1.8V 时，典型值为 19.2fs– LMK1C1106-Q1 和 LMK1C1108-Q1

• VDD = 3.3V 时，典型值为 12fs

• VDD = 2.5V 时，典型值为 15fs

• VDD = 1.8V 时，典型值为 28fs

• 传播延迟极低，< 3ns

• 同步输出使能

• 电源电压：3.3V、2.5V 或 1.8V– 在所有的电源电压下，容差输入为 3.3V– 失效防护输入

• fmax = 250MHz (3.3V)

fmax = 200MHz（2.5V 和 1.8V）

• 汽车类 1 级（–40°C 至 125°C）

• 符合 AEC-Q100 标准

• 可采用：– 8、14 和 16 引脚 TSSOP 封装

应用

• 汽车– ADAS– 信息娱乐系统与仪表组– 雷达

功能方框图

免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编继续删除。

上一篇：TI（德州仪器）推出ISO60414 通道、3 正向/1 反向增强型数字隔离器下一篇：TI预推出LMK1C1106-Q1汽车级 6 通道输出 LVCMOS 1.8V

在线留言询价

品牌

型号

数量

联系人

联系电话

邮箱

备注

在线咨询

推荐阅读

TI预推出MSPM0G3218-Q1汽车级的混合信号微控制器

点击次数: 1

2026-04-03

MSPM0G3218-Q1说明德州仪器的MSPM0G3218-Q1 和 MSPM0G3207-Q1 微控制器 (MCU) 属于 MSP 高度集成的超低功耗 32 位 MCU 系列，该 MCU 系列基于增强型 Arm Cortex-M0+ 32 位内核平台，工作频率最高可达 80MHz。这些 MCU 为需要采用封装（24 至 64 个引脚）的 128KB 至 256KB 闪存存储器的应用同时提供了成本优化和设计灵活性。这些器件包括CAN-FD 控制器、网络安全机制和高性能集成模拟，并在整个工作温度范围内提供出色的低功耗性能。该器件提供具有内置纠错码 (ECC) 且高达 256KB 的嵌入式闪存程序存储器，以及高达 32KB 的 SRAM（具有 ECC 和奇偶校验保护功能）。闪存存储器分为两个主要存储体，用于支持现场固件更新，并支持在两个主要存储体之间进行地址交换。可以使用灵活的网络安全机制来支持安全启动、安全的现场固件更新、IP 保护（仅执行存储器）、密钥存储等。针对多种 AES 对称密码模式提供了硬件加速功能。网络安全架构正等待 Arm® PSA 1 级认证。提供了一组高性能模拟模块，如两个同步采样的 12 位 1.6Msps ADC（支持多达 27 个外部通道）、片上电压基准（1.4V 或 2.5V）和两个比较器（内置 8 位基准 DAC，可在低功耗和高速模式下运行）。TI MSPM0 系列低功耗 MCU 包含具有不同模拟和数字集成度的器件。MSPM0 MCU 平台将 Arm Cortex-M0+ 平台与超低功耗整体系统架构相结合，使系统设计人员能够在降低能耗的同时提高性能。应用• 汽车车身电子装置和照明• 汽车网关• 方向盘系统• 汽车电机控制• 直流转交流逆变器• 车内照明• 车门把手模块• 脚踢开启模块• 车辆乘员检测• 座椅舒适模块 MSPM0G3218...
TI预推出LMK1C1106-Q1汽车级 6 通道输出 LVCMOS 1.8V 缓冲器

点击次数: 0

2026-04-03

LMK1C1106-Q1缓冲器说明LMK1C110x-Q1 是德州仪器 (TI) 的一款模块化、高性能、低偏斜、通用时钟缓冲器系列器件。整个系列采用模块化方法设计。五种不同的扇出选项：1:2、1:3、1:4、1:6 和 1:8。该系列所有器件均具有相同的高性能特性，如低附加抖动、低偏斜和宽工作温度范围。LMK1C110x-Q1 支持同步输出使能控制 (1G)，当 1G 为低电平时，输出切换为低电平状态。这些器件具有失效防护输入，可防止在没有输入信号的情况下输出发生振荡并允许在提供 VDD 之前输入信号。LMK1C110x-Q1 系列具有汽车 1 级（–40°C 至 125°C）和 AEC-Q100 认证。特性• 高性能 1:2、1:3、1:4、1:6 和 1:8 LVCMOS 时钟缓冲器• 输出偏斜极低：– LMK1C1102-Q1、LMK1C1103-Q1 和 LMK1C1104-Q1 • 50ps– LMK1C1106-Q1 和 LMK1C1108-Q1 • 55ps • 极低的附加抖动：– LMK1C1102-Q1、LMK1C1103-Q1 和 LMK1C1104-Q1 • VDD = 3.3V 时，典型值为 7.5fs • VDD = 2.5V 时，典型值为 10fs • VDD = 1.8V 时，典型值为 19.2fs– LMK1C1106-Q1 和 LMK1C1108-Q1 • VDD = 3.3V 时，典型值为 12fs • VDD = 2.5V 时，典型值为 15fs • VDD = 1.8V 时，典型值为 28fs • 传播延迟极低， 3ns • 同步输出使能• 电源电压：3.3V、2.5V 或 1.8V– 在所有的电源电压下，容差输入为 3.3V– 失效防护输入• fmax = 250MHz (3.3V) fmax = 200MH...
TI（德州仪器）预推出LMK1C1108-Q1汽车级时钟缓冲器系列器件

点击次数: 0

2026-04-03

LMK1C1108-Q1汽车级时钟缓冲器系列器件说明LMK1C110x-Q1 是德州仪器 (TI) 的一款模块化、高性能、低偏斜、通用时钟缓冲器系列器件。整个系列采用模块化方法设计。五种不同的扇出选项：1:2、1:3、1:4、1:6 和 1:8。该系列所有器件均具有相同的高性能特性，如低附加抖动、低偏斜和宽工作温度范围。LMK1C110x-Q1 支持同步输出使能控制 (1G)，当 1G 为低电平时，输出切换为低电平状态。这些器件具有失效防护输入，可防止在没有输入信号的情况下输出发生振荡并允许在提供 VDD 之前输入信号。LMK1C110x-Q1 系列具有汽车 1 级（–40°C 至 125°C）和 AEC-Q100 认证。特性• 高性能 1:2、1:3、1:4、1:6 和 1:8 LVCMOS 时钟缓冲器• 输出偏斜极低：– LMK1C1102-Q1、LMK1C1103-Q1 和 LMK1C1104-Q1 • 50ps– LMK1C1106-Q1 和 LMK1C1108-Q1 • 55ps • 极低的附加抖动：– LMK1C1102-Q1、LMK1C1103-Q1 和 LMK1C1104-Q1 • VDD = 3.3V 时，典型值为 7.5fs • VDD = 2.5V 时，典型值为 10fs • VDD = 1.8V 时，典型值为 19.2fs– LMK1C1106-Q1 和 LMK1C1108-Q1 • VDD = 3.3V 时，典型值为 12fs • VDD = 2.5V 时，典型值为 15fs • VDD = 1.8V 时，典型值为 28fs • 传播延迟极低， 3ns • 同步输出使能• 电源电压：3.3V、2.5V 或 1.8V– 在所有的电源电压下，容差输入为 3.3V– 失效防护输入• fmax = 250MHz (3.3V) fma...
TI（德州仪器）推出ISO60414 通道、3 正向/1 反向增强型数字隔离器

点击次数: 1

2026-04-03

ISO6041数字隔离器说明ISO604x 器件是高性能数字隔离器，专为符合 UL 1577 的需要最高 5000VRMS 的隔离额定值的应用而设计。器件还通过了 VDE、TUV、CSA 和 CQC 认证。 ISO604x 器件在极低的电源电流下提供高数据速率、低传播延迟、低抖动以及低通道间和器件间偏斜，同时隔离 CMOS 或 LVCMOS 数字 I/O。这些器件配有使能引脚，可用于将相应的输出置于高阻抗状态。该系列中的器件具有针对穿过隔离栅的特定正向和反向数量、默认输出电平和封装的通道配置。四通道器件配置可适应任何四通道设计，包括 SPI、RS-485 和数字 I/O 应用。可使用多个四通道器件或者组合使用二通道和六通道器件，以传输应用所需的任意数量的并行 I/O、 SPI 芯片选择、状态或故障信号。特性支持高带宽和时钟敏感型应用高达 200Mbps 的数据速率低传播延迟：5V 时最大值为 9ns、3.3V 时最大值为 10nsSPI 最高可达：5V 时为 27.75MHz、3.3V 时为 25MHz低脉宽失真度：5V 时最大值为 1.2ns、3.3V 时最大值为 1.2ns低抖动：3.3V 时最大值为 5ps (RMS)，对采样时钟信号的 ADC 和 DAC SNR 的影响较低低通道间偏斜：5V 时最大值为 1.2ns、3.3V 时最大值为 1.2ns低器件间偏斜：5V 时最大值为 3.5ns、3.3V 时最大值为 3.8ns支持高通道密度应用：低功耗：1Mbps 和 3.3V 时，每个通道的最大电流为 0.635mA稳健可靠的 SiO2 隔离栅：在 1061VRMS 工作电压下具有超长的寿命宽温度范围：-40°C 至 125°C隔离等级高达 5000VRMS浪涌抗扰度高达 10.4kV最小值为 ±50kV/µs C...
德州仪器推出200V、10A GaN 半桥功率级 TPS7H6101-SEP

点击次数: 1

2026-04-03

TPS7H6101说明TPS7H6101 是一款具有集成式栅极驱动器的抗辐射 200V e 模式 GaN 功率 FET 半桥；集成 e 模式 GaN FET 和栅极驱动器可简化设计、减少元件数量并缩小布板空间。支持半桥和两个独立开关拓扑、可配置死区时间和可配置击穿互锁保护，有助于为各种应用和实现提供支持。特性辐射性能：通过了总电离剂量 (TID) 为 50krad(Si) 的辐射批次验收测试 (RLAT)单粒子瞬变 (SET)、单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 对于线性能量传递 (LET) 的抗扰度高达 43MeV-cm2/mg单粒子瞬变 (SET) 和单粒子故障中断 (SEFI) 的特征值高达 (LET) = 43MeV-cm2/mg200V e 模式 GaN FET 半桥15mΩRDS(ON)（典型值）100kHz 至 2MHz 运行LGA 封装：带有散热焊盘的热优化 12mm × 9mm LGA 封装集成式栅极驱动电阻器低共源电感封装电气隔离式高侧和低侧适用于各种半桥和两种开关电源拓扑的灵活控制低传播延迟两种工作模式具有可调死区时间的单个 PWM 输入两个独立输入可编程的死区时间控制在独立输入模式下提供可选输入互锁保护5V 栅极驱动电源，可实现稳定的 FET 运行应用• 卫星电力系统 (EPS) • 电机驱动器典型应用电路免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。

热门分类

品牌排行

热卖产品

关于我们

─── 公众号二维码 ───

兆亿微波商城微信公众号

兆亿微波商城www.rfz1.com是一个家一站式电子元器件采购平台，致力于为广大客户提供高质量、高性能的电子元器件产品。产品覆盖功放器件、射频开关、滤波器、混频器、功分器、耦合器、衰减器、电源芯片、电路板及射频电缆等多个领域，平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、BOM配单及提供产品配套资料等，为客户提供一站式供应链采购服务。