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ROHM开发出实现业界超低损耗的650V耐压IGBT

2026/6/25 15:09:01
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半导体制造商ROHM宣布，开发出650V耐压第4代IGBT，新产品非常适用于车载电动压缩机、HV加热器以及工业设备用变频器等应用。作为支持车载应用的650V级产品，实现了业界超低导通损耗VCE(sat)＝1.55V，同时具备出色的短路耐受能力，符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101。

ROHM开发出实现业界超低损耗的650V耐压IGBT

该产品通过改善工艺以及包括外围结构在内的器件结构，提高了电流密度，同时降低了导通损耗和开关损耗。而且，与低损耗特性之间存在权衡关系的高短路耐受能力在Tj=25℃时也可达到7微秒（μs）。因此，新产品非常有助于应用产品进一步提高效率和可靠性。

产品阵容包括采用TO-247N封装的“RGAxxTS65HR/RGAxxTS65EHR”12个型号和裸芯片形式的“SG83xxWN”10个型号。另外，ROHM也正在开发TO-247-4L封装的“RGAxxTR65HR／RGAxxTR65EHR”12个型号的产品。

应用示例

车载电动压缩机

车载HV加热器（PTC加热器，冷却液加热器）

工业设备用变频器

免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。
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