英飞凌科技推出RIC70115抗辐射氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）驱动器RIC70115。该产品专为卫星及高可靠性航天应用打造，这类场景对功率转换性能与长期运行完整性有着严苛格的要求。
RIC70115可同时支持低侧和高侧配置的硅和氮化镓MOSFET设计，让为电源系统设计人员师提供更大的设计灵活性，从而加速GaN电源架构在航天平台中的应用落地GaN功率架构时拥有更高的灵活性，同时可保证各类偏置电压条件下的运行安全性。随着新太空经济规模持续扩大，卫星星座的数量与复杂度不断提升，市场对可支撑硅基向GaN技术迭代的抗辐射功率器件的需求正持续日益增长。
英飞凌科技高可靠性业务高级副总裁兼高可靠性业务总经理Mike Mills表示：“GaN电源功率解决方案正成为新太空应用设计生态系统的重要组成部分，其落地节奏正在不断加快。
RIC70115充分体现了英飞凌的理念：为航天电源设计人员师提供所需的高集成度、高性能与强大的抗辐射能力，助力其更好地向GaN系统升级。我们为设计人员师提供了一条经过验证并完成具备资质认证的成熟技术路径，帮助他们在行业内最苛刻的环境中实现更高的效率与更大的设计灵活性。”
RIC70115集成了独立的米勒钳位功能，可在维持目标开关速度的前提下避免寄生参数引发的器件误导通，降低开关损耗，全面提升运行效率。真差分输入（TDI）逻辑级可抑制共模噪声，削弱电磁干扰与射频干扰的影响，实现优异的抗噪声性能，抵御这两种干扰的能力在卫星电源总线这类要求严苛的电气环境中价值尤为突出。
产品内置低压差线性稳压器（LDO），可从5V或12V输入源输出高精度稳压4.8V驱动电压，减少外部稳压器件用量，并支持4.75V~15V的电源输入范围。上述集成特性共同减少了外围器件数量，简化了电路设计，并提升了长周期航天电源应用的系统可靠性。
RIC70115可在-55°C-125°C的宽扩展工作温度范围内满足MIL-PRF-38535要求，具备抗辐射能力，总电离剂量（TID）高达100krad(Si)，针对单粒子效应（SEE）完成表征，线性能量转移（LET）高达81.9 MeV·cm²/mg，可为近地轨道及更远轨道的太空任务提供充足的辐射性能裕度。
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