YAGEO 推出首款专为 SiC/GaN 器件开关驱动设计的 LLC 变压器。GDSC 系列可提供高达 3W 的功率，并可搭配 TI UCC25800-Q1 等 LLC 控制器使用，为开关器件提供正、负输出电压，实现可靠的导通与关断。该产品采用 10mm 爬电距离的 UI5 平台，在紧凑型表面贴装封装（最大 17.2 × 11 × 8.5 mm）中提供高达 4.5kVrms 的耐压隔离能力。该系列设计符合 IATF 标准，并支持全自动绕线生产，以满足汽车应用对高可靠性的要求。
该平台专为由高压电池驱动的逆变器电机驱动等应用而设计，满足 IEC 61558-1 关于基本绝缘的爬电距离要求，可支持高达 1250Vrms 的工作电压；对于需要加强绝缘的应用，则可支持高达 900Vrms 的工作电压。采用分体式骨架设计，使绕组间电容控制在 2.5pF 以下。
“反激式（Flyback）和推挽式（Push-Pull）拓扑结构长期以来一直用于 MOSFET 驱动电路。为了尽可能降低变压器漏感并提高驱动电路效率，通常需要较高的耦合度。然而，高耦合变压器设计会带来较高的绕组间电容，从而限制更高开关频率的实现，并降低 SiC/GaN MOSFET 优势的充分发挥。
GDSC 系列采用双分区绕组结构，并结合 LLC 拓扑结构，成功解决了这一问题。在 LLC 拓扑中，较高的漏感不会降低效率，因为它可作为谐振电路的一部分使用，甚至有可能无需额外的谐振电感。更低的绕组间电容可将通过偏置变压器注入的共模电流降低一个数量级，而 LLC 的软开关特性还能进一步降低 EMI 噪声。”
产品特性
分体式骨架设计，降低电容
1.4/3.5 µH 漏感
最大尺寸 17.2 × 11 × 8.5 mm
高达 4.2 kVrms 隔离耐压
加强绝缘
10 mm 爬电距离
目标应用场景
电动汽车充电设备
电机驱动
逆变器
电源设备
高频开关应用
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