CoolSiC™1200 V升压级结合了39.6 mOhm CoolSiC™MOSFET和30 a肖特基二极管,采用顶部冷却的Q-DPAK封装,具有双管芯焊盘配置。它专为工业电源转换而设计,具有简化的组装、优异的热性能和高功率密度。优化的布局能够提高效率、优化热管理并降低系统成本。

特性
•内部布局优化,可快速切换
•开关损耗极低,无反向恢复电流
•高浪涌电流肖特基二极管
•短路耐受时间2µs
•基准栅极阈值电压,VGS(th)=4.2 V
• .XT互连技术,实现一流的热性能
潜在应用
•串式逆变器
•电动汽车充电
•DIN导轨和机架安装(电源)
•商业照明灯具
产品验证
•根据JEDEC47/20/22的相关测试,符合工业应用要求
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