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英飞凌推出IMSQ120R040M2HB碳化硅MOSFET单管

2026/9/24 10:38:46
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CoolSiC™1200 V升压级结合了39.6 mOhm CoolSiC™MOSFET和30 a肖特基二极管,采用顶部冷却的Q-DPAK封装,具有双管芯焊盘配置。它专为工业电源转换而设计,具有简化的组装、优异的热性能和高功率密度。优化的布局能够提高效率、优化热管理并降低系统成本。

英飞凌推出IMSQ120R040M2HB碳化硅MOSFET单管

特性

•内部布局优化,可快速切换

•开关损耗极低,无反向恢复电流

•高浪涌电流肖特基二极管

•短路耐受时间2µs

•基准栅极阈值电压,VGS(th)=4.2 V

• .XT互连技术,实现一流的热性能

潜在应用

•串式逆变器

•电动汽车充电

•DIN导轨和机架安装(电源)

•商业照明灯具

产品验证

•根据JEDEC47/20/22的相关测试,符合工业应用要求

免责声明:本文为转载文章,转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息,版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题,请联系小编进行删除。

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