瑞萨电子宣布将其GaN产品组合扩展至低压应用领域，率先在业界推出100V增强型（E-mode）GaN分立功率晶体管系列。RTP100E005G1FL、RTP100E2P6G1FL、RTP100E1P8G1FL-DSC和RTP100E1P2G1FL-DSC低压GaN FET可在AI数据中心、人形机器人、工厂自动化和工业电机驱动、电动工具以及太阳能微型逆变器等对效率要求极高的高功率密度应用中，实现超高速开关速度和增强的热性能。
新款GaN FET实现业界卓越的硬开关和软开关优值（FOM）性能，相比同类GaN器件，硬开关FOM最高降低35%，软开关FOM最高降低63%。低压GaN器件还保持与硅器件兼容的封装尺寸，便于导入现有设计。
当前数据中心的电源转换器通常以数百千赫兹的开关频率运行。随着AI服务器和工业基础设施向800VDC配电和48V总线架构过渡，许多转换级正迈向兆赫级开关频率，以缩小磁性元件尺寸、提升功率密度并提高整体效率。
在800V高压直流（HVDC）电源架构中采用低压GaN，可简化电源转换设计，显著减小无源元件尺寸，降低开关损耗和散热需求。在系统层面，这意味着更高效率、更少的热管理要求，以及更低的能源和BOM成本。
基于瑞萨近期扩展的低压增强型GaN技术平台，全新晶体管产品组合具备超高速GaN开关能力，并通过低总栅极电荷（Qg）和低输出电荷（Qoss）最大限度减少电压与电流重叠，从而降低AI电源单元、电机驱动和DC-DC电源级在每个转换周期中的能量损耗。该器件还具备零反向恢复（Qrr=0）特性，可消除相关能量损耗，立即提升开关效率。
快速开关可通过缩小PCB占板面积、减小磁性元件和无源元件尺寸来提升功率密度，并实现更高频率运行；低导通电阻RDS（on）则可降低导通损耗，提高运行效率。底部散热和双面散热配置为散热和设计灵活性提供更多选择。根据具体应用要求和电源转换架构，低压GaN器件可将开关损耗降低多达40%至70%，并在系统层面实现最高两倍的功率密度。
新款GaN晶体管提供多种标准MOSFET兼容封装，使客户能够快速从硅MOSFET布局迁移到GaN方案，无需大幅重新设计PCB，从而加快设计实施。多样化封装选项结合宽范围RDS（on）（5mΩ至1.2mΩ），使设计人员能够在同步整流、多相降压转换和电机驱动等不同功率等级和应用之间灵活扩展。
全新GaN系列基于增强型（E-MODE常关型）GaN技术打造，可在便捷的硅兼容封装中发挥GaN的性能优势。这有助于设计人员充分利用GaN带来的效率和功率优势，并简化从现有硅基设计的迁移。
全新低压GaN系列的主要特性：
相比硅基设计，效率提升1%至3%，并消除Qrr损耗
开关损耗大幅降低40%至70%
通过降低每个周期的开关能量并支持高频运行，实现功率密度翻倍
更高开关频率有助于减小磁性元件尺寸、降低整体系统损耗，从而缩小系统占板面积
优化热管理可减少风扇和主动散热需求，降低系统复杂度和BOM成本
此外，凭借每个电源级更低的总能耗，全新GaN系列可帮助设计人员实现可持续发展目标。该系列通过减少热管理和气流管理所需风扇尺寸、支持使用更小的磁性元件并缩小整体PCB占板面积，助力AI数据中心和工业应用实现能效目标。
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