英飞凌科技将在欧洲设立全球首座采用300 mm晶圆制程生产下一代氮化镓（GaN）功率半导体的大规模量产制造工厂。
作为该计划的一部分，英飞凌将在2034年前，对奥地利菲拉赫（Villach）基地的既有洁净室设施投资约11亿欧元。通过充分利用现有及升级后的基础设施，英飞凌将能以高效且具成本效益的方式扩大产能。该制造工厂预计于2027年底前开始投产。这项投资的目的是应对高性能供电解决方案快速增长的需求。氮化镓可显著提升包括AI数据中心、能源基础设施、电动出行、机器人及消费电子在内多种应用的能源效率。
英飞凌是氮化镓功率电子领域的领导者。两年前，英飞凌成功完成全球首次300 mm氮化镓晶圆生产，取得了重要技术突破。相较于200 mm晶圆，300 mm晶圆的芯片生产技术更先进，生产效率也大幅提升，其更大的晶圆直径使单片晶圆的芯片产出数量可达到200 mm晶圆的2.3倍。目前，英飞凌正将这项创新技术引入全球首座面向客户的大规模量产基地。
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