Onsemi发布了EliteSiC™ M4，这是其第四代碳化硅（SiC）平台，基于沟槽架构，旨在为下一代电力系统树立新的性能标杆。
凭借导通和切换性能，EliteSiC M4为客户提供更大的设计自由度，可将功率密度和效率提升至30%，损耗降低35%，从而实现电动车、人工智能数据中心和工业应用中更高效、高功率密度的系统。
在现实限制下提供更多功率
人工智能、电气化和能源基础设施的发展给电力系统设计师带来了共同挑战——在不同时增加体积、能量损失和冷却需求的情况下，提供显著更多的电力。EliteSiC M4通过在现有系统限制下扩展电力和效率，为客户提供更大的灵活性来扩展AI基础设施、电动汽车和工业系统。
在主要市场中，EliteSiC M4将这些技术进步转化为独特的系统层面优势：
AI数据中心：在不扩展电力基础设施的同时，以同样的速度扩展计算。高密度功率转换帮助数据中心从每兆瓦获得更多计算量，最大化容量，同时减少单位计算所需的支持基础设施
电动汽车：提升电动动力系统的性能。更紧凑、更高效的牵引逆变器可以帮助汽车制造商提升续航里程
能源基础设施：每单位能源的生产更多。更高效、更高密度的电力转换有助于太阳能、储能及其他高压系统减少转换损耗
一种提升功率密度和效率的新架构
EliteSiC M4在不牺牲可靠性的前提下提升了导通和开关性能。相较于上一代的主要改进包括：
比抗阻（RSP）的提升：将特定RSP降低在20%到50%之间，同时实现更快的切换
降低切换损耗：硬开关性能提升67%，软切换提升50%，支持紧凑型电源设计
广泛的包装灵活性：设计支持现有封装，包括顶部冷却的表面贴装封装和高功率模块
对高要求应用的坚固性：该平台还设计用于严苛的操作环境，认证温度可达185°C及以上，适用于高压汽车和航天应用
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