ADuM4221产品详情
ADuM4221 / ADuM4221-1 / ADuM4221-2是4所述的分离的，即采用模拟器件公司，半桥栅极驱动器我耦合器?技术提供独立并分离的高侧和低侧输出。ADuM4221 / ADuM4221-1 / ADuM4221-2在爬电宽度增加的16引脚SOIC_IC宽体中提供5700 V rms隔离。这些隔离组件将高速CMOS和单片变压器技术相结合，具有优于其他选择的出色性能，例如脉冲变压器和栅极驱动器的组合。
隔离器的逻辑输入电压范围为2.5 V至6.5 V，与低压系统兼容。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比，ADuM4221 / ADuM4221-1 / ADuM4221-2在输入和每个输出之间提供真正的电气隔离。
均内置重叠保护，并允许调节死区时间。死区时间引脚（DT）和GND 1引脚之间的单个电阻设置了高侧和低侧输出之间的次级侧的空载时间。
如果ADuM4221 / ADuM4221-1 / ADuM4221-2的内部温度超过TSD温度，则内部热关断（TSD）会将输出设置为低电平。结果，ADuM4221 / ADuM4221-1 / ADuM4221-2可在很大范围的正负范围内可靠控制绝缘栅双极型晶体管（IGBT）/金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）配置的开关特性开关电压。
ADuM4221应用领域
开关电源
隔离式IGBT / MOSFET栅极驱动器
工业变频器
兼容氮化镓（GaN）/碳化硅（SiC）
ADuM4221特点和优点
4 A峰值电流（< 2ΩR DSON_x）
2.5 V至6.5 V逻辑输入电压
4.5 V至35 V输出电源电压
UVLO V DD1正向阈值：最大2.5 V
V DDA和V DDB正向阈值的 多个UVLO选项
等级A：最大4.5 V
B级：最大7.5 V
C级：最大11.6 V
精确的定时特性
最大传播延迟：44 ns
可调死区时间和双输入（ADuM4221）
可调死区时间和单输入（ADuM4221-1）
无死区时间控制和双输入（ADuM4221-2）
CMOS输入逻辑电平
高共模瞬变抗扰度：150 kV / µs
结温高：125°C
默认低输出
安全和法规批准（待批）
符合UL 1577的UL认证
5700 V rms持续1分钟
CSA组件验收通知5A
VDE合格证书
DIN V VDE V 0884-11：V IORM = 849 V峰值
爬电距离增加，16引脚SOIC_IC
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