德州仪器 (TI)今日推出了全新的集成式汽车芯片，能够帮助各个价位车辆的驾乘人员，实现更安全、更具沉浸感的驾驶体验。TI AWRL6844 60GHz 毫米波雷达传感器通过运行边缘 AI 算法的单个芯片，支持用于座椅安全带提醒系统的占用检测、车内儿童检测和入侵检测，从而实现更安全的驾驶环境。亮点：·德州仪器通过业内的单芯片 60GHz 毫米波 (mmWave) 雷达传感器提升检测精度，能够支持三种通过边缘人工智能 (AI) 来实现的车内检测应用。·汽车制造商可以通过一款高度集成、基于 Arm®、结合 TI 基于向量的 C7x 数字信号处理器 (DSP) 内核的业界先进的汽车微控制器 (MCU) 和处理器，提供卓越的音频体验。·TI 的全新音频放大器是业界的音频放大器，采用单电感器 (1L) 调制技术，使其能够以一半的电感器数量实现 D 类性能。德州仪器 (TI)今日推出了全新的集成式汽车芯片，能够帮助各个价位车辆的驾乘人员，实现更安全、更具沉浸感的驾驶体验。TI AWRL6844 60GHz 毫米波雷达传感器通过运行边缘 AI 算法的单个芯片，支持用于座椅安全带提醒系统的占用检测、车内儿童检测和入侵检测，从而实现更安全的驾驶环境。借助 TI 的下一代音频 DSP 核心、AM275x-Q1 MCU 和 AM62D-Q1 处理器，能够更加经济实惠地获得高质量音频体验。结合 TI 全新的模拟产品（包括 TAS6754-Q1 D 类音频放大器），工程师可以获得一个完整的音频放大系统解决方案。“无论是入门级汽车还是豪华级汽车，无论是燃油车还是电动汽车，如今的驾驶员都期望这些车辆能够提供更佳的车内体验，”TI 嵌入式处理部门高级副总裁 Amichai Ron 表示。“TI 持续提供创新技术，旨在推动未来汽车驾驶体验的发展和改进。我们的边缘 AI ...
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2025/1/13 13:44:53
对实现下一阶段自动驾驶和自主驾驶而言，在密集的城市环境中探测行人是一项挑战。为达到SAE定义的L2+至L4自动驾驶要求，开发新一代4D和成像雷达至关重要。在此背景下，英飞凌科技股份公司发布了其最新的RASIC™ CTRX8191F 28nm雷达单片微波集成电路（MMIC）的最终样品。CTRX8191F专为满足自动驾驶的要求而设计，具有高性能、低系统成本的特点，并将推动新一代雷达成像模块的开发。CTRX8191F雷达MMIC具有更强大的性能，且信噪比优于前几代产品，并在8个发射器和8个接收器的系统配置下，探测到最远380米的易受伤害的道路使用者和车辆。这款RASIC™ MMIC实现了低频下多个半导体器件的级联，从而减少对电路板上昂贵射频材料的需求。此外，RASIC™ CTRX8191F采用经过优化的封装上装载（LoP）设计，便于使用低成本的波导天线。其数字PLL在生成复杂波形方面具有很高的灵活性，并具有市面上最短的反激时间（为了加快雷达系统的设计和部署，英飞凌还提供CARKIT综合雷达开发套件。CARKIT基于 CTRX8191F传感器原型开发模块，支持各种系统配置，包括通过千兆以太网接口传输原始ADC数据、FFT中间结果和雷达探测结果等。附带的示例代码和图形用户界面可加快原型的开发和设计速度，使开发人员能够快速而高效地实现其雷达系统设计理念。该套件还包含一根波导天线，可根据客户的特定要求轻松换成定制天线。CARKIT已推出多个版本，包括配备8个发射器和 8 个接收器的新一代 4D前端雷达配置，以及面向标准市场的高性价比转角/前雷达解决方案（配备4个发射器和4个接收器）。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/1/13 13:41:55
据CINNO Research发布最新报告称，得益于全球手机终端市场的稳健增长，叠加华南市场持续保持高位备货需求，2024年全球智能手机面板出货量延续强劲的增长趋势。CINNO Research统计数据表明，2024年全球智能手机面板出货量或将达到22.7亿片，同比增长8.7%，达到了历史新高点。这一成就体现了行业供应链在全球经济不确定性中的强大适应能力和弹性。1月9日，据CINNO Research发布最新报告称，得益于全球手机终端市场的稳健增长，叠加华南市场持续保持高位备货需求，2024年全球智能手机面板出货量延续强劲的增长趋势。CINNO Research统计数据表明，2024年全球智能手机面板出货量或将达到22.7亿片，同比增长8.7%，达到了历史新高点。这一成就体现了行业供应链在全球经济不确定性中的强大适应能力和弹性。在这一轮的增长中，主流手机品牌全球面板采购量（不包括白牌及维修市场）预计将达到12.1亿片，同比增长5.3%，其中，主流国产品牌的占比有望达到57.8%，超越五成，同比上升1.4个百分点，彰显了中国手机品牌在全球市场上的强劲势头。在国内市场，小米、OPPO和vivo继续占据面板采购量的前三甲位置，三家合计份额或将达到34.0%。小米：2024年小米智能手机面板采购量或将达1.71亿片，同比增长21.7%，位居国内第一。OPPO： OPPO稳居市场第二，预计2024年的智能手机面板采购量将达到1.44亿片，同比增长3.5%。与2023年相比，这一规模和排名将在2024年继续保持，充分展示了OPPO的稳健经营能力。vivo：vivo的表现同样抢眼，预计其2024年的智能手机面板采购量将达到9,800万片，同比增长4.2%。进一步观察2024年前三季度的数据，小米智能手机面板累计采购量为1.3亿片，位居国内第一；OPPO智能手机面板采购量为1.2亿片，同比...
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2025/1/13 13:38:11
据悉，LG Display（LG显示）今年将开始制造四层白光OLED（W-OLED）面板。该公司之前的W-OLED面板采用三层堆叠结构，面板的发光层由三层组成。增加另一层堆叠可以提高面板的亮度——新面板将于今年在广州开始生产。三层W-OLED的堆叠结构从下到上依次是蓝色、绿色/黄绿色/红色和蓝色（B-GYG-R）。而四层W-OLED的堆叠结构从下到上依次是蓝色、绿色、蓝色和红色（B-G-B-R）。之前的绿色/黄绿色/红色堆叠在新结构中被分为绿色和红色堆叠。LG Display计划首先将新结构应用于其电视面板。OLED电视在过去因亮度不及液晶（LCD）电视而受到批评。LG Display曾使用微透镜阵列（MLA）和氘来改善这一点，但预计MLA不会用于四层W-OLED。与此同时，三星显示今年也将推出五层量子点-OLED（QD-OLED），比之前增加了一层堆叠。其四层QD-OLED的堆叠结构为蓝色、蓝色、绿色和蓝色。五层结构将在顶部增加一层绿色。由于QD-OLED使用蓝光源，绿色具有提高屏幕亮度的效果。新的五层QD-OLED预计将首先用于27英寸显示器。MSI表示计划将该技术用于其27英寸显示器。这些用于大型面板的堆叠技术与iPad OLED面板中使用的两层串联技术不同。电视和显示器面板采用开放式金属掩模制造，每层代表一种颜色，顶部添加滤光片以显示不同颜色。而对于智能手机和平板电脑面板，每层都有不同的颜色子像素。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/1/13 13:34:12
PE42724是一款HaRP™技术增强型反射SPDT射频开关电子元器件，专为有线电视应用而设计，包括DOCSIS 3.0/1有线调制解调器、机顶盒和住宅网关。它在5-1794 MHz频带内提供高线性度、出色的谐波性能和高抗浪涌性。它还具有低插入损耗和高隔离性能，使PE42724成为DOCSIS 3.1应用的理想选择。规格参数开关配置:SPDT最小频率:5 MHz最大频率:1.794 GHz介入损耗:0.4 dB关闭隔离—典型值:19 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:QFN-12封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi工作电源电流:130 uA电源电压-最大:5.5 V电源电压-最小:2.3 V特性•支持DOCSIS 3.0/1要求•特殊谐波•2fo为-121 dBc，频率为17 MHz•17 MHz时为-150 dBc的3倍•跨频带最佳线性度•低插入损耗和高隔离性能•1218 MHz时插入损耗为0.3 dB•204 MHz时的隔离度为39 dB•封装：12芯3×3×0.75mm QFN引脚图
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2025/1/10 14:12:51
PE4280是一款专为有线电视应用设计的UltraCMOS®开关电子元器件，覆盖从5 MHz到2.2 GHz的宽频率范围。这种单电源SPDT开关集成了一个双引脚CMOS控制接口。它还提供了低插入损耗和极低的偏置要求，同时在单个3V电源上运行。在典型的有线电视应用中，与机械继电器相比，PE4280提供了一种经济高效且可制造的解决方案。规格参数封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi特性•75Ω特性阻抗•集成75Ω端子•CTB性能为85 dBc•1 GHz时高隔离60 dB•插入损耗低•高输入IP3:50 dBm•CMOS双引脚控制•单+3V电源操作•低电流消耗：8μA•独特的全断端模式•包装：4×4×0.85毫米QFN引脚图
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2025/1/10 14:08:24
PE42722是一款HaRP™技术增强型反射SPDT射频开关电子元器件，专为DOCSIS 3.0/1电缆调制解调器和机顶盒等电缆应用而设计。它在5-1794 MHz频带内提供高线性度和出色的谐波性能。它还具有低插入损耗和高隔离性能，使PE42722成为DOCSIS 3.1应用的理想选择。规格参数开关配置:SPDT最小频率:5 MHz最大频率:1.794 GHz介入损耗:0.85 dB关闭隔离—典型值:29 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi特性•支持DOCSIS 3.0/1要求•卓越的谐波性能•跨频带最佳线性度•低插入损耗和高隔离性能•1.5 kV HBM的高ESD性能•封装–32引线5×5mm QFN引脚图
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2025/1/10 14:03:22
PE423641是HaRP™技术增强型反射SP4T射频开关电子元器件。它已获得AEC-Q100 2级认证，符合质量和性能标准，使其适用于恶劣的汽车环境。它旨在覆盖从50 MHz到3 GHz的广泛无线应用，如蜂窝天线频带切换、汽车信息娱乐和交通安全应用。如果射频端口上不存在直流电压，则不需要隔直电容器。规格参数开关配置:SP4T最小频率:50 MHz最大频率:3 GHz介入损耗:0.95 dB关闭隔离—典型值:22 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C安装风格:SMD/SMT封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi特性•AEC-Q100 2级认证•支持高达+105°C的工作温度•HaRP™技术增强提供了出色的线性•插入损耗低•高度隔离•高ESD性能•用于2针控制的集成解码器•封装：16引脚3×3mm QFN引脚图
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2025/1/10 13:59:34
PE42742是一款SPDT UltraCMOS®开关电子元器件，专为有线电视、数字电视、多调谐器DVR、机顶盒、个人电脑电视和游戏机等宽带应用而设计。它符合FCC 15.115规范，在216 MHz时具有80 dB的隔离度，在有电和独特的无电默认状态下都能提供高隔离度和低插入损耗。PE42742采用单正电源和CMOS控制，覆盖了从5 MHz到2200 MHz以上的宽频范围。它为机顶盒应用中的机械继电器提供了一种更小、更具成本效益、更可靠和可制造的替代方案。规格参数开关配置:SPDT最小频率:5 MHz最大频率:2.2 GHz介入损耗:1.8 dB关闭隔离—典型值:53 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi产品类型:RF Switch ICs特性•符合FCC 15.115规范，在216 MHz时隔离80 dB•无电源运行状态•3500 V HBM ESD容差，所有引脚•CTB性能为90 dBc•高隔离度：1000 MHz时为63 dB•低插入损耗：通常在5 MHz时为0.5 dB，在1000 MHz时为0.8 dB•带逻辑选择的CMOS单引脚控制•单+3V电源操作•低电流消耗：8μA•封装：20引脚4×4mm QFN引脚图
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2025/1/10 13:55:59
PE4256是一款专为有线电视应用设计的UltraCMOS®开关电子元器件，覆盖从5 MHz到3 GHz的宽频率范围。这种单电源SPDT开关集成了一个双引脚CMOS控制接口。它还提供了低插入损耗和极低的偏置要求，同时在单个3V电源上运行。在典型的有线电视应用中，与机械继电器相比，PE4256提供了一种经济高效且可制造的解决方案。规格参数开关配置:SPDT最小频率:5 MHz最大频率:3 GHz介入损耗:1.1 dB关闭隔离—典型值:52 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT特性•75Ω特性阻抗•集成75Ω端子•CTB性能为-90 dBc•1000 MHz时高隔离65 dB•低插入损耗：5 MHz时通常为0.5 dB，1000 MHz时为0.9 dB•高输入IP3:50 dBm•CMOS双引脚控制•单+3伏电源操作•低电流消耗：8μA•独特的全断端模式•包装：4×4毫米QFN引脚图
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2025/1/10 13:51:05
PE423422是HaRP™技术增强型反射SPDT射频开关电子元器件。它已获得AEC-Q100 2级认证，符合质量和性能标准，适用于恶劣的汽车环境。它旨在覆盖从100 MHz到6 GHz的广泛无线应用，如汽车信息娱乐和交通安全应用。如果射频端口上不存在直流电压，则不需要隔直电容器。规格参数开关配置:SPDT最小频率:100 MHz最大频率:6 GHz介入损耗:0.9 dB关闭隔离—典型值:16 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C安装风格:SMD/SMT特性•AEC-Q100 2级认证•支持高达+105°C的工作温度•插入损耗低•高度隔离•出色的线性•高ESD耐受性•2.3V至5.5V的宽电源范围•封装：12芯2×2mm QFN引脚图
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2025/1/10 13:42:54
PE4140是一款高线性、无源宽带四MOSFET阵列，具有高动态范围性能，能够在6 GHz以上运行。这种四元阵列在所有端口（RF、LO、IF）都使用差分信号工作，允许构建使用-7dBm至+20 dBm LO功率的混频器。典型的应用范围从频率上/下转换到蜂窝/PCS基站、无线宽带通信和STB/电缆调制解调器的相位检测。它采用小型6引脚3×3 DFN封装。规格参数射频:1.7 GHz to 2.2 GHz转换损失——最大:8.5 dBLO频率:1.63 GHz to 2.13 GHz中频:70 MHz最大工作温度:+ 85 C最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:DFN-6OIP3 - 三阶截点:32 dBm工作电源电压:320 mVP1dB - 压缩点:22 dBm封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel点击购买：PE4140B-Z特性•终极四MOSFET阵列•超高线性度，超过6.0 GHz的宽带性能•非常适合搅拌机应用•上/下转换•转换损耗低•高LO隔离•包装：6芯3×3mm DFN引脚图
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2025/1/10 13:37:13
PE42850是一款HaRP™技术增强型SP5T高功率射频开关，支持高达1 GHz的无线应用。它提供42.5 dBm连续波（CW）的最大功率处理。它具有高线性和出色的谐波性能。它具有标准和衰减RX模式。如果射频端口上不存在直流电压，则不需要隔直电容器。规格参数开关配置:SP5T最小频率:30 MHz最大频率:1 GHz介入损耗:0.45 dB关闭隔离—典型值:30 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:QFN-32开关数量:Single工作电源电流:130 uA产品类型:RF Switch ICs电源电压-最大:5.5 V电源电压-最小:2.3 V特性•双模式操作：SP5T或SP3T•增强了HaRP™技术•50Ω内瞬时功率高达45 dBm•瞬时功率高达40 dBm•36 dB TX到RX隔离•2fo和3fo的低谐波=–90 dBc（1.15:1 VSWR）•ESD性能引脚图
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2025/1/10 13:31:44
在日新月异的数字存储领域，固态硬盘（SSD）已成为重塑数据存储和访问方式的关键技术。SSD得益于其更高的可靠性、更快的速度、更低的功耗、更佳的性能以及更轻巧紧凑的设计，因而比传统硬盘驱动器（HDD）更受欢迎。预计到2028年，SSD市场规模将达到670亿美元。其中，电源断电保护（PLP）所需的硬件、固件和软件占据了相当大的市场份额；这些对于确保SSD系统在断电后仍能正常运行至关重要。本文将深入探讨SSD技术的复杂世界，并阐述其优势以及对计算环境产生的变革性影响。此外，我们还将介绍SSD技术的最新进展，包括电源管理集成电路（PMIC）和PLP及其在企业数据存储中的作用。了解SSD中的断电保护在快速发展的数字存储领域，SSD在改变数据存储和检索方式方面扮演着举足轻重的角色。大型企业使用的企业数据存储系统用于处理、保存和保障诸如云计算、数据挖掘及在线交易等活动中的重要数据。这些系统部署在各大数据中心。如图1所示，SSD中的PLP在断电期间可提供足够的能量，将关键数据保存至NAND（NAND闪存作为一种非易失性存储技术，在无电源的情况下也能保持数据）。此类PLP系统已在SSD市场存在了一段时间，在断电时保护数据安全方面发挥了重要作用。PLP的主要任务是延长SSD的运行时间，以便安全地将数据从驱动器的临时存储移动到永久存储器，确保数据在系统重新通电后仍然存在且可访问。PLP系统通过使用特殊电容器使SSD保持时间足够长的供电，从而将缓存中的所有数据都保存到NAND闪存中，并更新目录信息。如下图2所示，此类电容器可存储足够的能量，在断电后使SSD能够继续运行并完成数据备份。这些能量为系统提供了额外的运行时间，使得系统能够在断电后完成向存储器写入数据的操作。此外，一些SSD使用特殊的软件规则来控制断电时数据的写入方式，从而确保数据安全并降低出错的可能性。接下来，让我们快速了解一下SSD的主...
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2025/1/10 13:22:00
DRAM市场将在2025年第一季度出现显著的价格下跌，PC、服务器和GPU VRAM细分市场预计将出现大幅下跌。根据TrendForce的最新预测，季节性需求波动加上买家的战略库存管理正在推动下降趋势。在PC DRAM市场，价格预计将下降8%-13%。这一下降主要是由于消费者需求疲软和DDR4内存模块供过于求。虽然DDR5的采用率正在稳步增长，但尚未达到抵消上一代DDR4模块供过于求所需的规模。因此，PC制造商正在利用较低的价格来增加库存，尽管他们很谨慎，以避免在需求不确定的情况下出现库存过剩。服务器DRAM价格预计也会下降，尽管降幅不如PC DRAM大，预测降幅为5%~10%。从DDR4到DDR5和高带宽存储器（HBM）的持续过渡继续影响着服务器DRAM市场。主要供应商正在将生产能力从DDR4重新分配到更新的技术，以满足数据中心和AI应用日益增长的需求。然而，DDR4内存的供过于求，加上企业客户谨慎的采购策略，导致价格受到抑制。虽然DDR5的采用率正在增长，但其目前的使用量仍不足以抵消DDR4的供应过剩。在GPU VRAM领域，价格预计将下跌5%~10%，这主要是由于需求低迷和库存水平上升。尽管部分生产能力已转向HBM，尤其是用于AI和数据中心应用的高性能GPU，但对传统图形DRAM的需求仍然疲软。游戏和专业图形市场尚未从高库存水平和疲软的消费者需求时期完全恢复，导致GPU VRAM价格持续下跌。DRAM价格的持续下跌与过去两年观察到的更广泛趋势一致。先前的报告表明，2023年初价格大幅下跌，仅第一季度DRAM成本就暴跌20%。这些降价是由供应过剩和消费者需求低迷共同推动的，导致全年价格持续下跌。到2024年，尽管下滑速度有所放缓，但市场仍面临挑战。制造商库存水平高企，消费电子、游戏和数据中心等关键领域的需求依然疲软。此外，DDR5和HBM等较新内存技术的缓慢采用导致老一...
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2025/1/10 13:17:40
台积电先进封装大扩产，其中CoWoS制程是扩充主力。随著群创旧厂购入后设备进机与台中厂产能扩充，2025年台积电CoWoS月产能将上看7.5万片。行业调研机构semiwiki分析称，台积电在中国台湾大举扩充先进封装产能，其中随着英伟达需求推动，预估2025年 CoWoS月产能估计6.5万片-7.5万片，2026年估计月产9-11万片。此外，2025年预计英伟达占据CoWoS总需求的63%，表明其在采用CoWoS技术方面的领导地位。紧随其后的是博通，占据13%的份额。AMD和Marvell各占据8%并列第三，表明两家公司对这项技术的兴趣相当。semiwiki指出，其他贡献者包括AWS + Al chip（3%）、英特尔（2%）、Xilinx（1%）和其他（3%）。另一方面，研调机构TrendForce在2024年11月亦发布报告称，随着英伟达最新Blackwell平台芯片2025上半年逐步放量，将带动台积电CoWoS-L需求量超越CoWoS-S，占比有望逾60%，并驱动台积电CoWoS月产能于年底接近翻倍、达7.5万至8万片。此外，主要云端服务供应商（CSP）积极投入ASIC AI芯片建置，包括亚马逊AWS等巨头2025年对CoWoS需求量亦将明显上升。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/1/10 13:11:25
NCV59801是一款1A LDO，下一代高PSRR、低噪声和低压差稳压器电子元器件，具有Power Good集电极开路输出。NCV59801器件旨在满足射频和敏感模拟电路的要求，提供低噪声、高电源抑制比和低静态电流，同时能够将输出电压调节到0.6V以下。该设备还提供出色的负载/线路瞬态。NCV59801设计用于4.7 uF输入和输出陶瓷电容器。规格参数输出电压:1.8 V输出端数量:1 Output极性:Positive静态电流:35 uA输入电压 - 最小值:1.6 V输入电压 - 最大值:5.5 VPSRR/纹波抑制—典型值:85 dB输出类型:Fixed最大工作温度:+ 150 C回动电压:175 mV回动电压—最大值:343 mV线路调整率:0.5 mV/V负载调节:2 mV电压调节准确度:1.5 %特性•1.6V至5.5V输入电压•从低VIN轨道运行•输出电压0.6V•宽VOUT设置•受控输出电压转换速率•可用于图像传感器或减少启动时的涌入电流•电源抑制比：1 kHz时为85 dB•改进了输入纹波抑制•低压差120mV ar 3.3V/1A•允许低VIN以提高效率•超低噪声：10µVRMS•超低自生噪声•WDFNW6 2 x 2mm和DFNW8 3 x 3mm•优异的热性能应用•通信系统•车载网络•远程信息处理、信息娱乐和集群•通用汽车引脚图
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2025/1/9 14:26:09
ADP3335属于ADP330x系列精密低压差anyCAP电压稳压器电子元器件。ADP3335输入电压范围为+2.6 V至+12 V，最大连续负载电流为500 mA。ADP3335采用所有MSOP-8封装中的最低热阻和改良工艺，与传统LDO相比性能更出色，比竞争产品更具性能优势。它采用专利设计，仅需一个1.0 µF输出电容便可保持稳定。这款器件对输出电容的等效串联电阻(ESR)不敏感，使用任何优质电容均可稳定工作，其中包括适合空间受限应用的陶瓷(MLCC)型电容。ADP3335在室温条件下可达到±0.9%的出色精度，温度、线路和负载变化的精度为±1.8%。ADP3335在500 mA时的压差仅为200 mV（典型值）。该器件还具有安全限流、热过载保护和关断特性。在关断模式下，地电流降至2 µA以下。在轻负载情况下，ADP3335具有60 µA（典型值）超低静态电流。ADP3335ARMZ-3.3-RL的规格参数输出端数量:1 Output极性:Positive输出电压:3.3 V输出电流:500 mA输出类型:Fixed输入电压 - 最小值:2.6 V输入电压 - 最大值:12 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C静态电流:80 uA高度:0.85 mm长度:3 mm线路调整率:0.04 mV/V负载调节:0.04 mV/mA宽度:3 mm单位重量:140 mg特性高线路和负载精度：±0.9%(25℃)、全部温度下±1.8%超低压差：500 mA时，200 mV（典型值）仅需CO = 1.0 µF便可保持稳定anyCAP = 使用任意类型的电容（包括MLCC）均可保持稳定限流、限热低噪声低关断电流：小于10 nA（典型值）电源电压范围：2.6 V至12 V环境温度范围：-40&...
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2025/1/9 14:18:42