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BTS3410G电源开关芯片的规格参数及引脚图

2025/2/27 14:09:32

浏览次数: 13

Smart SIPMOS技术中的N沟道垂直功率FET。完全由嵌入式保护功能保护。

规格参数

类型:Low Side

输出端数量:2 Output

输出电流:1.3 A

电流限制:7.5 A

导通电阻—最大值:200 mOhms

运行时间—最大值:100 us

空闲时间—最大值:100 us

工作电源电压:1.3 V to 2.2 V

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOIC-8

系列:HITFET

资格:AEC-Q100

封装:Reel

电源电压-最大:2.2 V

电源电压-最小:1.3 V

单位重量:83 mg

特性

•逻辑电平输入

•输入保护（ESD）

•热关机，自动重启

•绿色产品（符合RoHS标准）

•过载保护

•短路保护

•过电压保护

•电流限制

•可模拟驾驶

应用

•双通道汽车保护继电器驱动器

引脚图

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