SLG59H1019V是一款高性能的13米Ω NMOS负载开关设计用于控制4.5 V至25.2 V的电源轨,最高可达5 A。使用专有的MOSFET设计,SLG59H1019V实现了稳定的13 mΩ RDSON的输入电压范围很宽。结合新型FET设计和铜柱互连,SLG59H1019V封装还具有低热阻,适用于大电流操作。SLG59H1019V的设计工作温度范围为-40°C至85°C,采用低热阻、符合RoHS标准、1.6 mm x 3.0 mm STQFN封装。
特征
•低RDSON:13 mΩ
•最大持续电流:5A;
•工作电压范围:4.5 V≤VIN≤25.2 V
•VIN(OVLO):已禁用
•车辆识别号(UVLO):3.1 V,固定
•电容器可调启动和浪涌电流控制
•两级过电流保护:•电阻器可调有效电流限制为5A
•固定0.5 A短路电流限制
应用
•电信设备
•高性能计算
•负载点配电
•电机驱动器