CMD184是一个4.5 W宽带GaN MMIC功率放大器芯片，工作频率为0.5至20 GHz。
放大器提供大于13 dB的增益，相应的输出1 dB压缩点为+34.5 dBm，饱和输出功率为+36.5 dBm。CMD184采用50欧姆匹配设计，无需进行射频端口匹配。CMD184提供完全钝化，以提高可靠性和防潮性。
具备的特征
•超宽带性能
•高输出功率
•高增益
•高线性
装配指南
CMD184的背面是RF接地。建议使用共晶芯片连接。高频设备应遵循标准装配程序。半导体的顶面应与相邻的射频传输线平齐，射频去耦电容器应放置在芯片上的直流连接附近。
RF连接应尽可能短，以减少键合线的电感效应。强烈建议使用0.8密耳的热超声楔键合，因为环高度将最小化。如图所示，射频输入和输出需要双键合线。
半导体厚度为100微米，应通过管芯侧面或使用定制夹头进行处理。不要直接接触芯片表面，因为这会损坏单片电路。小心轻放。
偏置和操作
CMD184由正漏极电源、正栅极电源和负栅极电源偏置。
开启程序：
1.施加栅极电压Vgg1，并将其设置为足以夹断漏极电流的电压（~-8V）
2.施加漏极电压Vdd并设置为+28V
3.施加栅极电压Vgg2并设置为+10V
4.增加Vgg1（负向减小）以实现700mA的漏极电流
关闭程序：
1.关断栅极电压Vgg2
2.关闭漏极电压Vdd
3.关断栅极电压Vgg1
RF功率可以在任何时候施加。