嗨,欢迎来到兆亿微波官方商城!
服务热线: 010-62975458  17600099251
购物车图片 购物车 ( )
全部商品分类

QPA1011D X波段高功率MMIC放大器的简述及评估板布局组件

2026/5/28 15:33:24
浏览次数: 1

Qorvo的QPA1011D是一款X波段高功率MMIC放大器,采用Qorvo生产的0.15um GaN on SiC工艺(QGaN15)制造。QPA1011D的工作频率为7.9-11 GHz,通常提供25 W的饱和输出功率,功率附加效率为37%,大信号增益为20 dB。宽带性能的这种组合提供了设计者所寻求的灵活性,以提高系统性能,同时减小尺寸和成本。

QPA1011D还可以支持各种操作条件,以最好地支持系统要求。凭借良好的热性能,它可以支持一系列偏置电压,并且在CW和脉冲操作下都表现良好。

QPA1011D与50Ω匹配,两个RF I/O端口上都集成了隔直电容器,简化了系统集成。宽带性能和操作灵活性使其能够支持卫星通信和数据链路,以及军事和商业雷达系统。

QPA1011D在晶圆上进行了100%的直流和射频测试,以确保符合电气规范。

无铅,符合RoHS标准。

特征

频率范围:7.9-11 GHz

输出:PIN=25 dBm时为45 dBm

PAE:25 dBm时为37%

大信号增益:PIN=25 dBm时为20 dB

小信号增益:26 dB

集成功率检测器

偏压:VD=24 V,IDQ=1200 mA,VG=−2.0 V典型值

脉冲VD:脉宽=100µS,直流=10%

芯片尺寸:2.75 x 3.12 x 0.10毫米

应用

卫星通信

数据链接

军用和商用雷达

脉冲操作评估板(EVB)布局组件

QPA1011D X波段高功率MMIC放大器的简述及评估板布局组件

注:PCB是多层的

1.所有4种金属厚度均为0.5盎司

2.上芯1为罗杰斯4003C,厚度为8密耳

3.下芯2为370HR,6密耳厚

4.Pre-Preg是一种环氧涂层玻璃纤维布

5.成品PCB总厚度为25±3密耳

6.该EVB使用铜制PCB,在高功耗长脉冲和/或CW条件下实现最佳热管理

在线留言询价
推荐阅读
  • 点击次数: 1
    2026-05-28
    CMD244是宽带GaAs MMIC分布式放大器芯片,工作频率从DC到24GHz。放大器提供18dB的增益,相应的输出1dB压缩点为+25dBm,10GHz时的噪声系数为2.5dB。CMD244采用50欧姆匹配设计,无需进行射频端口匹配。CMD244提供完全钝化,以提高可靠性和防潮性。这种放大器是高成本混合放大器的完美替代品。具备特点•超宽带性能•正增益斜率•高输出功率•低噪音系数•封装尺寸小CMD244的背面是RF接地。芯片连接应使用导电和导热环氧树脂或共晶连接完成。高频设备应遵循标准装配程序。半导体的顶面应与相邻的射频传输线平齐,射频去耦电容器应放置在芯片上的直流连接附近。
  • 点击次数: 1
    2026-05-28
    CMD249是宽带GaAs MMIC分布式功率放大器芯片,工作频率从DC到20 GHz。放大器在10 GHz下提供大于12 dB的增益,相应的输出1 dB压缩点为+30 dBm,输出IP3为38 dBm。CMD249采用50欧姆匹配设计,无需进行射频端口匹配。CMD249提供完全钝化,以提高可靠性和防潮性。主要特点•超宽带性能•高线性•高输出功率•出色的回波损耗•封装尺寸小装配指南:CMD304的背面是RF接地。芯片连接应仅使用导电和导热环氧树脂完成。不建议使用共晶连接。高频设备应遵循标准装配程序。半导体的顶面应与相邻的射频传输线平齐,射频去耦电容器应放置在芯片上的直流连接附近。RF连接应尽可能短,以减少键合线的电感效应。强烈建议使用0.8密耳的热超声楔键合,因为环高度将最小化。如图所示,射频输入和输出需要双键合线。半导体厚度为100um,应通过管芯侧面或使用定制夹头进行处理。不要直接接触芯片表面,因为这会损坏单片电路。小心轻放。
  • 点击次数: 0
    2026-05-28
    CMD304是一款超宽带砷化镓(GaAs)微波集成电路(MMIC)分布式驱动放大器芯片,工作频率范围为直流至67吉赫兹(GHz)。该放大器在30吉赫兹时提供9.5分贝(dB)的增益,相应的噪声系数为3分贝,输出1分贝压缩点为+11分贝毫瓦(dBm)。CMD304采用50欧姆匹配设计,无需射频(RF)端口匹配。主要特点超宽带性能平坦增益响应低噪声系数低功耗封装尺寸:1350um x1150um 装配指南CMD304的背面是RF接地。芯片连接应仅使用导电和导热环氧树脂完成。不建议使用共晶连接。高频设备应遵循标准装配程序。半导体的顶面应与相邻的射频传输线平齐,射频去耦电容器应放置在芯片上的直流连接附近。RF连接应尽可能短,以减少键合线的电感效应。强烈建议使用0.8密耳的热超声楔键合,因为环高度将最小化。如图所示,射频输入和输出需要双键合线。半导体厚度为100微米,应通过管芯侧面或使用定制夹头进行处理。不要直接接触芯片表面,因为这会损坏单片电路。小心轻放。
  • 点击次数: 1
    2026-05-28
    Qorvo的QPA1027是一款封装的高功率s波段放大器,采用Qorvo生产的0.25 um GaN-on-SiC高压工艺(QGaN25HV)制造。QPA1027覆盖2.8-3.5 GHz,提供60 W的饱和输出功率和22 dB的大信号增益,同时实现55%的功率附加效率。QPA1027封装在带有铜桨的塑料包覆成型QFN中,易于操作,具有良好的热性能。因此,QPA1027具有偏置灵活性,允许用户改变电压以实现最佳系统性能,同时保持高可靠性。QPA1027与50欧姆相匹配,两个I/O端口上都有集成的直流阻断帽。QPA1027具有高性能、良好的热特性以及易于处理和系统集成的特点,是雷达和卫星通信系统的理想选择。无铅,符合RoHS标准。主要特点频率范围:2.8-3.5 GHzPSAT(PIN=26 dBm):48 dBmPAE(PIN=26 dBm):55%小信号增益:31dB偏置:脉冲VD=50 V,IDQ=300 mA,VG=-2.7 V典型值。封装尺寸:6.0 x 6.0 x 0.85毫米主要应用S波段雷达卫星通信可焊性符合最新版J-STD-020标准,无铅焊料,260°C。请勿将封装盖暴露在 280°C的温度下
  • 点击次数: 0
    2026-05-28
    Qorvo的QPA2962是在Qorvo QGaN15 GaN-on-SiC工艺上制造的宽带功率放大器。QPA2962的工作频率为2至20 GHz,在22 V漏极偏压下提供10 W的饱和功率、13 dB的大信号增益和22%的功率附加效率。RF端口匹配50Ω,包括集成隔直电容器和RF扼流圈。QPA2962采用5 x 5 mm气腔层压封装,为设计人员提供了一种方便的SMT兼容器件,在减小尺寸和成本的同时,提供了宽带功率、增益和效率的宝贵组合。QPA2962非常适合军事和商业市场的宽带通信系统、电子战、测试仪器和雷达应用。QPA2962无铅,符合RoHS标准。主要特点:•频率范围:2-20GHz•PSAT(PIN=27 dBm):40 dBm•PAE(PIN=27 dBm):22%•功率增益(PIN=27 dBm):13 dBm•小信号增益:19 dB•偏压:VD=22 V,IDQ=1680 mA•封装尺寸:5.0 x 5.0 x 1.455毫米应用•通信系统•电子战•雷达•测试设备
热门分类
关于我们

───  公众号二维码  ───

兆亿微波商城微信公众号

兆亿微波商城www.rfz1.com是一个家一站式电子元器件采购平台,致力于为广大客户提供高质量、高性能的电子元器件产品。产品覆盖功放器件、射频开关、滤波器、混频器、功分器、耦合器、衰减器、电源芯片、电路板及射频电缆等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、BOM配单及提供产品配套资料等,为客户提供一站式供应链采购服务。 

  • 品质 • 正品行货 购物无忧
  • 低价 • 普惠实价 帮您省钱
  • 速达 • 专业配送 按时按需
Copyright ©2020 - 2021 兆亿微波科技有限公司
X
1

QQ设置

    1
3

SKYPE 设置

4

阿里旺旺设置

5

电话号码管理

电话 电话 电话
010-62975458
    1
6

二维码管理

    1
返回顶部
展开