CMD249是宽带GaAs MMIC分布式功率放大器芯片,工作频率从DC到20 GHz。放大器在10 GHz下提供大于12 dB的增益,相应的输出1 dB压缩点为+30 dBm,输出IP3为38 dBm。
CMD249采用50欧姆匹配设计,无需进行射频端口匹配。CMD249提供完全钝化,以提高可靠性和防潮性。
主要特点
•超宽带性能
•高线性
•高输出功率
•出色的回波损耗
•封装尺寸小
装配指南:
CMD304的背面是RF接地。芯片连接应仅使用导电和导热环氧树脂完成。不建议使用共晶连接。高频设备应遵循标准装配程序。半导体的顶面应与相邻的射频传输线平齐,射频去耦电容器应放置在芯片上的直流连接附近。
RF连接应尽可能短,以减少键合线的电感效应。强烈建议使用0.8密耳的热超声楔键合,因为环高度将最小化。如图所示,射频输入和输出需要双键合线。

半导体厚度为100um,应通过管芯侧面或使用定制夹头进行处理。不要直接接触芯片表面,因为这会损坏单片电路。小心轻放。