OLS100专为需要高CTR和低饱和VCE的光隔离的应用而设计。每个OLS100器件由一个LED和N-P-N硅光电晶体管组成,安装并耦合在定制的密封表面安装无引线芯片载体(LCC)封装中。
低输入电流使OLS100非常适合直接互补金属氧化物半导体(CMOS)到低功率肖特基晶体管(LSTTL)到晶体管逻辑(TTL)接口。
OLS100设备可以使用回流焊或导电环氧树脂安装。
具备的特性
•电流传输比保证在-55°C至+125°C范围内
•环境温度范围
•电气隔离:1500 VDC
•高电流传输比(CTR):超温最低75%。在低输入电流下,IF=1 mA时,温度超过100%
•高可靠性和坚固的结构
•CTR与达林顿输出相当,但饱和度低
•VCE=0.15v
•类似于4N2X、4N4X型光耦合器
OLS100封装尺寸

OLS100框图
