EEPROM是一种广泛应用的非易失性存储器。它能够在断电后仍保持数据不丢失，且支持灵活的电气擦除和重写操作。其主要特点是：
数据可电气方式擦除与重写：不同于传统ROM需要物理手段擦除。
细粒度擦写单元：通常以字节为单位进行擦写，灵活性高。
数据持久性好：即使断电，存储的数据依然保持。
EEPROM常用于保存需要频繁更新但不能丢失的数据，如设备配置参数、校准数据等。
EEPROM存储数据的原理
EEPROM的数据存储基于浮动栅极晶体管技术。其核心在于一个额外的浮动栅极被绝缘层包围，能捕获和存储电子，从而实现对存储位的电气控制。
1. 浮动栅极结构
每个EEPROM存储单元包含一个浮动栅极和一个控制栅极：
浮动栅极：被厚厚的绝缘氧化层包裹，电荷困在其中不会轻易泄漏。
控制栅极：位于浮动栅极上方，用于控制浮动栅极的电荷状态。
2. 存储数据的电荷机制
EEPROM通过向浮动栅极注入或移除电子来代表数据的"0"或"1"状态：
写入（编程）数据：利用隧穿效应（Fowler-Nordheim隧穿）将电子注入浮动栅极，改变其电荷状态，使存储单元保持特定的电压阈值，代表逻辑“0”或“1”。
擦除数据：施加反向电压，使电子离开浮动栅极，恢复到初始状态。
由于电子被困在绝缘层内，即使电源断开，也不会轻易丢失信息，实现非易失性。
EEPROM的读、写、擦除过程
1. 读取数据
读取时，控制电路通过检测浮动栅极状态对应的阈值电压，判断存储单元的逻辑状态。此过程无需改变浮动栅极电荷，属于非破坏性读出。
2. 写入（编程）数据
写入时，电路对选中单元施加写电压，促使电子通过氧化层“隧穿”进入浮动栅极，改变晶体管阈值，实现数据写入。
3. 擦除数据
擦除操作可针对单个字节或整个储存区域，施加合适的电压与极性，使浮动栅极中电子释放，恢复原始状态。
EEPROM通过浮动栅极晶体管技术，实现了电子电荷的捕获和释放，利用电气信号对存储单元状态进行编程和擦除，从而达到数据的非易失性存储。它的灵活读写特性，使其在嵌入式系统及电子设备中扮演着重要角色。