达林顿晶体管和一般晶体管（普通双极型晶体管，BJT）都是常用的半导体器件，用于放大电流，但它们的结构和性能有明显区别。
那么，达林顿晶体管与一般晶体管的区别在哪？
一、结构上的区别
一般晶体管
一般晶体管由一个PNP或NPN结构组成，具有三个端子：基极（B）、集电极（C）和发射极（E），通过基极-发射极电流来控制较大集电极-发射极电流。
达林顿晶体管
达林顿晶体管实际上是两个晶体管按照特殊方式串联组合而成，其中一个晶体管的发射极直接连接到另一个晶体管的基极。这样组成的器件有同样的三个端子，但内部包含两个晶体管。
二、工作原理上的区别
一般晶体管单级电流放大，其电流放大倍数（β）较低，通常几十到几百。
达林顿晶体管是两级放大电路，整体放大倍数几乎是两个晶体管β的乘积，因此电流放大倍数（β）非常大，通常几千甚至更高。
三、性能上的区别
| 特性 | 一般晶体管 | 达林顿晶体管 |
| 电流放大倍数（β） | 低到中等（几十到几百） | 很高（几千以上） |
| 输入电流需求 | 较高，需要较大基极电流 | 很低，基极电流需求大幅降低 |
| 导通压降 | 约0.6-0.7伏特 | 约1.2-1.4伏特（因为串联两个基极-发射极结） |
| 开关速度 | 较快 | 较慢，存在饱和恢复时间延长 |
| 结构复杂度 | 单个晶体管，简单 | 双晶体管集成，结构较复杂 |
四、应用方面的区别
一般晶体管适合对电流放大要求不高、响应速度快的场合。
达林顿晶体管适合用在需要大电流放大以及低输入电流驱动的场合，如继电器驱动、电机控制和功率放大等。