2014 年，赛普拉斯推出了 HyperBus 接口，该接口利用并行和串行接口存储器的传统特性，提高了系统性能，简化了设计，并显着降低了成本。在支持 HyperBus 的解决方案中，HyperRAM 是一种新颖的技术解决方案，可以实现高达 333 MB/s 的吞吐量，在 HyperRAM 2.0 中增加到 400 MB/s。HyperRAM 2.0 是一种高速、低引脚数的自刷新动态 RAM (DRAM)，专为需要扩展内存的高性能嵌入式系统而设计，例如汽车、工业、消费和物联网应用。HyperRAM 2.0 提供 HyperBus 和 Octal SPI 接口，并在 DDR 模式下提供高达 400 MBps 的读/写带宽。
超级内存
通过与赛普拉斯的合作，华邦电子已经推出了32Mb到512Mb密度的产品。目前，24BGA（6×8mm 2）汽车级、WLCSP（Wafer Level Chip Scale Package）面向消费级可穿戴市场、KGD（Known Good Die）产品都已上市。
除赛普拉斯外，其他相关领先的MCU厂商如NXP、Renesas、ST、TI等都已经开发出了支持HyperBus接口的微控制器，未来也有望支持。同时，Cadence、Synopsys 和 Mobiveil 等领先的硅 IP 提供商也开始提供 HyperBus 内存控制 IP，从而加快了包含该内存解决方案的产品的上市时间。
HyperRAM 可以显着提高终端设备的性能，其主要优势如下：
低功耗：此功能是通过混合睡眠模式 (HSM) 实现的，该模式仅消耗 45µW@1.8V 和 55µW@3V（与具有相同容量的待机模式 SDRAM 的 2000µW@3.3V 相比）
减少占用空间：低引脚数可以节省 PCB 上的宝贵空间
易于控制：使用较少的有源引脚，设计更简单，而不会影响整体系统性能。
除了更高的功耗外，低功耗 SDRAM 的外形尺寸比 HyperRAM 更大，这并不使它成为需要尽可能减少占位面积和 PCB 面积的理想解决方案。如图 1 所示，HyperRAM 接口只需要 13 个引脚（DQ[7:0]、RWDS、CS#、RESET#、CK 和 CK#），大大简化了 PCB 设计和封装尺寸。反之亦然，传统的 SDRAM 解决方案在 54BGA 封装中需要 38 个引脚和 8×8 mm 2的面积，而 LP SDRAM 解决方案在 54BGA 封装中需要 41 个引脚和 9×8 mm 2的面积。因此，在产品的设计阶段，将有更多引脚可用于实现附加功能，从而使解决方案也更具成本效益。
图 1：华邦 HyperRAM 框图
HyperRAM 的另一个相关特性是它是一个自刷新 RAM，这意味着它可以在完成读/写操作后自动返回待机模式。这允许减少系统设计和固件开发的工作量。
关于可以从该解决方案中受益的用例和行业，它们包括所有需要低功耗和高 MCU 计算能力的应用，例如汽车、工业 4.0、智能家居、可穿戴设备和物联网设备。此外，对于智能扬声器和智能电表等电池供电设备，低功耗对于实现更长的电池寿命至关重要。
华邦 HyperRAM 是嵌入式 AI 和图像处理分类的理想解决方案，其中设备应尽可能小，同时提供足够的内存空间来支持计算密集型算法，如人脸识别、物体检测、实时图像识别和边缘计算。
“关于HyperRAM的实际应用案例，主要有两个流：一个是精准的图像识别，另一个是语音识别，两者都支持语音或图像的AI模型”，华邦DRAM营销经理Jacky Tseng在接受采访时表示与EEWeb。
螺旋栈
SpiStack 是 Winbond 开发的存储器解决方案，它是通过将 NOR 芯片和 NAND 芯片堆叠到同一个封装中而形成的，例如，64Mb 串行 NOR 和 1Gb QspiNAND 芯片。该解决方案使设计人员能够灵活地将代码存储在 NOR 芯片中，并将数据存储在 NAND 芯片中。
通过堆叠同质或异质闪存模块，SpiStack 为代码和数据存储提供了各种不同密度的存储器，同时为设计人员提供了最大的存储灵活性，以满足他们的设计要求。SpiStack 存储器只需要 8 个信号引脚，而不管堆叠芯片的数量如何。活动芯片可以通过简单的软件芯片选择命令进行切换，提供工厂分配的芯片 ID 号。该器件的时钟频率最高可达 104MHz，对应于 Quad-SPI 下的 416MHz 时钟速率。此外，SpiStack (NOR+NAND) 支持并发操作，这意味着其中一个可以被编程或擦除，而另一个可以同时被编程/擦除/读取，反之亦然。例如，应用程序可以使用 NOR 芯片（SpiFlash，它提供更好的耐用性和保持性，和快速随机访问时间）用于存储启动代码和应用程序代码，而多个大尺寸数据（例如嵌入式 AI 和相机图像的学习数据）可以存储在 NAND 芯片（QspiNAND）上。多个 SpiFlash 芯片，每个芯片的密度范围从 16Mb 到 2Gb，可以与 NOR 和 NAND 芯片的任意组合堆叠。
如图 2 所示，SpiStack 提供比连续读取的串行 NAND 更好的读取性能。这是因为 SpiStack 支持并发操作：在一个 die 上执行读操作时，可以在另一个 die 上执行写/擦除操作，而不会中断代码执行以进行数据更新。
图 2：SpiStack 与串行 NAND w/cont。读取性能
采用 SpiStack 解决方案带来的主要好处主要有三点：
小 PCB 占用空间：这是多种应用的强制性要求，包括物联网、可穿戴设备、消费类设备和医疗设备
成本效率：SpiStack 解决方案允许减少组件数量和引脚数量，简化 PCB 布局和布线
高度灵活性：可以组合 NOR 和 NAND 芯片的尺寸以满足特定的应用需求。SpiFlash NOR 闪存有 16Mb、32Mb、64Mb、128Mb 和 256Mb 大小，而 QspiNAND 有 512Mb、1Gb 和 2Gb 大小。
“我们解决方案的第一个好处是它可以提供更小的外形，这对于物联网等应用至关重要。第二个是成本，可以通过将两个内存芯片放在同一个芯片组中来降低成本。第三个好处是客户可以选择任何可用密度的 NOR 和 NAND 芯片”，华邦闪存营销经理 Wilson Huang 说。
此外，通过在一个封装中集成两个芯片可以降低制造成本，并通过使用标准封装，即 8 焊盘 WSON 8mmx6mm 封装（见图 3）来保持硬件兼容性。
图 3：SpiStack WSON 包
“我们提供高质量的产品，因为我们只使用成熟可靠的技术（46 纳米 NAND 和 58 纳米 NOR）。所以，质量非常好，我们的客户不需要担心质量”，华邦的发言人总结道。