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ADMV4828(24.0 GHz 至 29.5 GHz 变送/接收双偏振波束合成)

2021/10/14 10:40:02
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ADMV4828 是绝缘体上硅 (SOI)、24.0 GHz 至 29.5 GHz、mmW 5G 波束合成。RF 集成电路(RFIC)高度集成,包含 16 个独立的变送和接收通道。ADMV4828 通过独立的 RFV 和 RFH 输入/输出,支持八个水平极化天线和八个垂直极化天线。

ADMV4828(24.0 GHz 至 29.5 GHz 变送/接收双偏振波束合成)

在变送模式下,RFV 输入和 RFH 输入信号都馈入单独的放大器。放大器之后的每条路径都通过 1:8 功率分路器,分成八个独立的通道。在接收模式下,输入信号通过垂直或水平接收通道并通过两个独立的 8:1 组合器,组合到公共 RFV 引脚或 RFH 引脚。在任一模式下,每个变送和接收通道都包含一个矢量调制器 (VM) 来控制相位,以及两个数字可变增益放大器 (DVGA) 来控制幅度。VM 在发送或接收模式下提供完整的 360° 相位调整范围,为 5.625° 相位步长提供 6 位分辨率。提供了用于变送和接收 VM 的相位步进策略,以确保最佳相位步进性能。在传输模式下,总 DVGA 动态范围为 34.5,提供 6 位分辨率(产生 0.5 dB 幅度步长)和 5 位分辨率(产生 1 dB 幅度步长)。在接收模式下,总动态范围为 28 dB,提供 5 位分辨率(产生 0.5 dB 幅度步长)和 5 位分辨率(产生 1 dB 幅度步长)。DVGA 在整个增益范围内提供平坦的相位响应。AN-2074 应用笔记、ADMV4828 应用笔记中提供了 DVGA1 和 DVGA2 的增益策略,以确保在衰减范围内优化性能;在传输模式下,从 0 dB 到 34.5 dB 的衰减具有 0.5 dB 步进分辨率 ,在接收模式下,从 0 dB 至 28 dB 的衰减具有 0.5 dB 步进分辨率。变送通道包含单独的变送功率检波器,用于检测调制或连续波信号,以校准每个通道增益以及通道间增益失配。每个接收通道都包含一个 RF 功率过载电路(接收通道过载检测电路),以防止由于阻塞事件而对套件造成潜在损坏。ADMV4828 射频端口可以直接连接到贴片天线,以创建双极化毫米波 5G 子阵列。


ADMV4828 可以使用 3 线或 4 线串行端口接口 (SPI) 进行编程。集成的片内低压差 (LDO) 稳压器为 SPI 电路生成 1.0 V 电源,以减少所需的电源域数量。多种 SPI 模式可用于在正常操作期间实现快速启动和控制。每个通道的幅度和相位可以单独设置,也可以使用用于波束成形的片内存储器,同时对多个通道进行编程。片内存储器最多可存储 2048 个波束位置,这些波束位置可分配给水平通道和垂直通道的变送模式或接收模式。片内非易失性存储器 (NVM) 用于存储出厂时每个单独通道的校准增益和相位偏移系数以及参考值。这些值用于执行通道到通道或芯片到芯片的校准。此外,四个地址引脚 (CHIP_ADD) 允许对同一串行线上多达 16 个套件进行独立 SPI 控制。要使用相同的指令,通过相同的串行线控制多个套件,请通过外部使能引脚 (BR_EN) 激活广播模式。专用的水平和垂直极化负载引脚(LOAD_V 和 LOAD_H)提供同一阵列中所有套件的同步。提供水平和垂直极化变送模式和接收模式控制引脚(TRX_H 或 TRX_V),可实现变送模式和接收模式之间的快速切换。


ADMV4828 采用紧凑的 304 球、10 mm ×8.5 mm 芯片级封装球栅阵列 (CSP_BGA)。ADMV4828 在 −40°C 至 +95°C 的外壳温度 (TC) 范围内工作。这种 CSP_BGA 封装能够从封装的顶部对 ADMV4828 进行散热,以实现最高效的散热,并允许在印刷电路板 (PCB) 的另一侧灵活放置天线。


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    PSRR 与输入电容对于利用 LT3042 作为开关转换器后级稳压的应用,直接在 LT3042 输入端放置电容会导致交流电流(在开关频率下)在 LT3042 附近流动。这种相对较高的高频开关电流产生磁场,耦合到 LT3042 的输出端,从而降低其有效 PSRR。虽然高度依赖于 PCB 设计,但开关前级稳压器、输入电容等因素导致的 PSRR 衰减在 1MHz 时很容易超过 30dB。即使将 LT3042 从电路板上拆下,这种衰减依然存在,因为它实际上降低了 PCB 板本身的 PSRR。虽然对于传统低 PSRR 的 LDO 可以忽略,但 LT3042 的超高 PSRR 需要仔细注意高阶寄生效应,以提取稳压器提供的全部性能。为减轻 LT3042 附近高频开关电流的流动,只要开关转换器的输出电容距离 LT3042 超过一英寸,就可以完全移除 LT3042 的输入电容。磁耦合随距离增加而迅速减小。然而,如果开关前级稳压器距离 LT3042 太远(保守估计超过几英寸),且没有输入电容,与任何稳压器一样,LT3042 的输入端将在寄生 LC 谐振频率处振荡。此外,通常非常常见(且是首选做法)的做法是用一定容值的电容旁路稳压器输入端。因此,此选项在其适用范围内相当有限,并非最理想的解决方案。为此,LTC 建议使用 LT3042 演示板(DC2246B)布局以实现最佳可能的 PSRR 性能。LT3042 演示板布局利用磁场抵消技术来防止这种高频电流流动引起的 PSRR 衰减——同时保留输入电容的使用。
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    稳定性与输出电容LT3042 需要输出电容来保证稳定性。鉴于其高带宽,LTC 建议使用低 ESR 和低 ESL 的陶瓷电容。为保证稳定性,需要最小 4.7μF 的输出电容,ESR 低于 50mΩ,ESL 低于 2nH。鉴于使用单个 4.7μF 陶瓷输出电容即可实现的高 PSRR 和低噪声性能,更大的输出电容值仅略微改善性能,因为稳压器带宽随输出电容增加而降低——因此,使用大于最小 4.7μF 的输出电容几乎没有收益。尽管如此,更大的输出电容值确实可以减小负载瞬态期间的峰值输出偏差。注意,用于去耦 LT3042 供电的各个元件的旁路电容会增加有效输出电容。需额外考虑所用陶瓷电容的类型。它们采用多种电介质制造,每种在温度和施加电压下具有不同的特性。最常用的电介质具有 EIA 温度特性代码 Z5U、Y5V、X5R 和 X7R。Z5U 和 Y5V 电介质适合在小封装中提供高电容值,但它们往往具有更强的电压和温度系数,如图 4 和图 5 所示。当用于 5V 稳压器时,16V 10μF Y5V 电容在工作温度范围内,在施加的直流偏置电压下,有效值可低至 1μF 至 2μF。X5R 和 X7R 电介质具有更稳定的特性,因此更适合 LT3042。X7R 电介质在温度范围内具有更好的稳定性,而 X5R 成本较低且可提供更 高容值。尽管如此,使用 X5R 和 X7R 电容时仍需谨慎。X5R 和 X7R 代码仅指定工作温度范围和温度引起的最大电容变化。虽然 X5R 和 X7R 因直流偏置引起的电容变化优于 Y5V 和 Z5U 电介质,但仍可能显著降低到不足水平。如图 6 所示,电容器的直流偏置特性往往随元件封装尺寸增大而改善,但强烈建议在工作电压下验证预期电容值。附图:
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