意法半导体STPOWER产品组合中的700V PowerGaN设备应对了AI服务器功耗上升以及对超越传统硅片技术极限的高性能功率转换需求等挑战。
ST的新款PowerGaN器件为高压电源提供高效和高功率密度。
设计为700伏工作额定，支持可靠的高功率运行和更高频的拓扑结构。PowerGaN固有的优势包括低导电损耗、高工作频率下的极低开关损耗以及零反向恢复电荷，从而实现系统体积、重量和工作温度的缩小。这些属性对于用于机器人的电力半导体、工业电源以及用于发电、配电和储存的智能电网变换器非常重要。
“通过推出新的700V器件，扩展了氮化镓技术的优势，将其优势扩展到中功率和高功率应用。”“我们将继续扩展产品线，增加电压等级和功能，进一步巩固我们对GaN的承诺，用于未来AI服务器、类人机器人、工业电力以及包括家用电器在内的消费级电力应用。”意法半导体电力与分立子集团执行副总裁Mario Aleo表示。
关于其封装
该系列采用DPAK、TO-LL和PowerFLAT表面贴装封装，这些封装在实践中经过验证，并被主要电子设计自动化库和工具链广泛支持。TO-LL和PowerFLAT器件提供开尔文源连接，将门控电路与主电源路径分离，以最大化抗噪能力，保护栅极驱动器并保持时序裕量。引入的设备包括：
• SGT350R70GTK（6 A，270 mΩ*），采用6.10毫米×6.60毫米3针DPAK，带可焊接卡片。
• SGT070R70HTO（26 A，53 mΩ*）采用无铅TO-LL，采用热效率极高的漏极和源源连接。
• SGT080R70ILB（29 A，60 mΩ*）、SGT105R70ILB（21.7 A，80 mΩ*）、SGT140R70ILB（17 A，106 mΩ*）、SGT190R70ILB（11.5 A，138 mΩ*）、SGT240R70ILB（10 A，165 mΩ*），采用可焊接源焊盘提升热性能的PowerFLAT 8×8。
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