东芝电子元件宣布，推出采用东芝最新一代工艺U-MOS11-H制造的80V N沟道功率MOSFET—— "TPM1R408RH"。 该MOSFET面向AI数据中心和通信基站等工业设备的开关电源。
TPM1R408RH采用优化的器件结构，实现了1.4mΩ（最大值）的漏源导通电阻，与采用上一代U-MOS X-H工艺制造的东芝80V产品“TPM1R908QM”相比降低约26%。
TPM1R408RH还可抑制开关过程中在漏极与源极之间产生的尖峰电压，有助于降低开关电源中的EMI。EMI抑制通常需要在设计后期进行返工，而抑制器件本身产生的尖峰电压有助于减少返工，并简化滤波器和缓冲电路。
TPM1R408RH与东芝现有的SOP Advance(N)封装相比，采用SOP Advance(E)封装，封装电阻约降低65%，热阻约降低15%。通过抑制发热并改善散热性能，该封装支持更高输出功率和更紧凑的电源设计。并且还提供支持开关电源电路设计的工具。
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