Vishay推出了四款全新40伏TrenchFET® Gen IV标准级n通道功率MOSFET,采用6.15毫米×5.15毫米PowerPAK® SO-8单封装。Vishay Siliconix SIR5402DP、SIR5404DP、SIR5406DP 和 SIR5408DP 优化了电机控制电路的噪声环境,结合了大于 2.5 V 的高门极-源阈值电压和 Qgd / Qgs 比值小于 1。
它们满足特定应用的需求,SIR5402DP、SIR5404DP、SIR5406DP和SIR5408DP提供典型导通电阻值范围,范围从0.9毫瓦到2.5毫瓦(10 V),栅极电阻值从32.6 nC到82 nC。MOSFET均100%通过RG和UIS测试,符合RoHS标准,且不含卤素。
设备规格如下图:

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