Ampleon通过全新CLF09H4LS800P扩展其工业GaN射频功率组合，这是一款800瓦GaN-on-SiC的HEMT，完全优化于902–928 MHz ISM频段。
该新设备专为粒子加速器系统、工业射频加热和等离子体生成设备设计，使OEM能够开发更高效、更具成本效益的射频硬件，同时加快产品上市进度。
该CLF09H4LS800P提供800瓦连续波输出功率，配合超过80%的汲极效率，在目标ISM频段实现了卓越的能量转换。它最大限度地减少了功耗并降低了系统热负荷，同时其原生预匹配架构消除了额外的外部电路。
简化的射频实现缩短了设计迭代和原型制作周期，非常适合现代高功率工业射频部署。
基于Ampleon成熟且经过现场验证的GaN-on-SiC工艺技术，该晶体管实现了可靠的热散逸和稳定的长期运行稳定性。它能承受高达10：1的VSWR负载不匹配，能够应对工业射频环境中波动且苛刻的操作条件，提供强有力的韧性。
CLF09H4LS800P的推出进一步丰富了Ampleon的高功率氮化镓产品线，强化了公司在工业、科学和医疗高功率射频能源应用领域的专属解决方案覆盖。
CLF09H4LS800P的特点与优势
800W内部预匹配射频功率GaN HEMT，频率范围为902 MHz至928 MHz
高效率
高输入阻抗
CLF09H4LS800P的应用
915 MHz ISM频段的工业应用
915 MHz ISM频段的专业应用
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