QPD2562L是一款200 W-300 W的分立GaN on SiC HEMT，工作频率为2.5至2.9 GHz和2.9至3.3 GHz，分别提供高达55.4 dBm/53 dBm的饱和输出功率，具有13 dB的大信号增益和50%/45%的漏极效率。
封装内的输入预匹配使外部电路板匹配变得容易，并节省了电路板空间。该设备采用行业标准的气腔封装，非常适合雷达应用。该设备可以支持CW和脉冲操作。
具备的特点：
工作频率范围：2.5-2.9 GHz，2.9-3.3 GHz
饱和输出功率PSAT:54.8 dBm，53 dBm
PSAT排水效率：50%、45%
PSAT时的大信号增益：13 dB
偏置：VDS=+50V，IDQ=440mA
包装类型：NI-650
包装尺寸：29.00 x 5.84毫米
应用程序：
S波段雷达
工业、科学和医疗
通信
电子战
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