嗨,欢迎来到兆亿微波官方商城!
服务热线: 010-62975458  17600099251
购物车图片 购物车 ( )
全部商品分类

意法半导体再度发出涨价函:二季度全线产品全面涨价

2022/3/25 10:41:12
浏览次数: 20

    继去年四季度开始全产品线涨价之后,3月24日,MCU及功率半导体芯片大厂意法半导体再度向经销商发出涨价函,宣布将于2022年第二季度再度上调所有产品线的价格,包括现有积压产品。


   意法半导体再度发出涨价函:二季度全线产品全面涨价


    虽然全球芯片制造商都在积极的扩产,但是目前缺芯问题仍未缓解,特别是依赖于成熟制程的车用芯片,包括MCU、电源管理芯片、功率半导体等,依然相当紧缺,价格也是在持续上涨。


    继去年四季度开始全产品线涨价之后,3月24日,芯智讯发现,MCU及功率半导体芯片大厂意法半导体今日再度向经销商发出涨价函,宣布将于2022年第二季度再度上调所有产品线的价格,包括现有积压产品。


    意法半导体再度发出涨价函:二季度全线产品全面涨价

    对于涨价的原因,意法半导体表示,“全球半导体的持续短缺,以及经济和地缘政治形势严重影响我们的行业,短期内没有复苏迹象。虽然我们一直在制造业上大力投资,但原材料成本以及能源和物流成本已经达到了一个我们无法消化的水平。”


    根据资料显示,意法半导体是全球第四大MCU厂商,市场份额为14.5%。同时,意法半导体也是全球第三大功率半导体厂商和全球第九大电源管理芯片厂商。随着意法半导体全线产品的进一步涨价,势必将影响到众多下游集成商。


    值得注意的是,在2020年下半年以来,意法半导体的产品就一直非常紧缺。在今年1月底财报电话会议上,意法半导体CEO Jean-Marc Chery就曾表示,目前意法半导体积压的订单能见度约18个月,远高于意法目前及已规划的2022年产能。今年车用芯片产能也已销售一空。


    之前的资料显示,今年意法半导体今年的资本支出将达到大约21 亿美元,其中14 亿美元将投入全球产能扩建,剩下的7 亿美元将用于支持正在建的意大利Agrate 300mm(12 吋) 新晶圆厂、意大利Catania 的碳化硅(SiC)工厂,以及法国Tours 的氮化镓(GaN)工厂。根据规划,意法半导体将在未来4年内大幅提升晶圆产能,计划在2020 年至2025 年期间将欧洲工厂的整体产能提升一倍,主要是增加300mm(12 吋)产能;对于200 mm(8 吋)产能,意法半导体将选择性提升,主要是针对那些不需要12 吋的技术,例如,BCD、先进BiMOS 和ViPower。


    虽然意法半导体正在积极的扩产,但是产能的提升需要时间,远水难救近火。而市场的需求却是仍在持续增长。


    此前Susquehanna Financial Group的研究数据也显示,2022 年 2 月全球芯片平均交货周期(从下单到交货的时间)相比今年1月又增加了3天,达到了26.2 周。这也代表着芯片的平均交期要等待半年以上,凸显全球半导体持续短缺问题,而这问题也持续影响着各个产业,其中又以汽车产业最为严重。


    其中,2月份的MCU的平均交期达到 35.7 周,电源管理芯片的交期则是进一步延长了1.5 周,这两种芯片是众多电子产品以及汽车零组件所必需的,因此这两种芯片的持续短缺,对相关产业也将造成了巨大的冲击。


在线留言询价
推荐阅读
  • 点击次数: 1
    2026-05-27
    TDK公司宣布其Micronas快速霍尔传感器位置传感器系列新增HAL 3025。继HAL 3020和HAL 3021成功发布后,HAL 3025扩展了产品组合,配备了单芯片传感器,该传感器符合严格的ISO 26262 ASIL D要求,并专为下一代X线控电机控制应用设计。HAL 3025通过TDK-Micronas的SixSense技术评估垂直磁场分量,测量完整的360°旋转角,这一方法与HAL 3021同样采用。通过根据ISO 114528抑制外部直流和交流磁场的杂散,传感器支持紧凑型电机设计,使电力电子元件靠近传感元件。它还消除了昂贵的磁性屏蔽或超大目标磁铁的需求,使设计师在电机布局设计上拥有更大自由度,降低了整体系统成本。一个简单的两极铁氧体磁铁,轴端配置就足够了。HAL 3025 设计为 SEooC ASIL D 准备,实现单芯片故障保护架构,相比多芯片方法降低了系统复杂度、材料清单和板块空间。该设备集成了多种片上安全监控功能,以最大化诊断覆盖并减少对ECU的外部监控需求。结果是:更早更广泛的故障检测,更简单的系统诊断,以及对安全启动和运行时运行的更高信心。该传感器专为高性能电机控制设计,支持转速高达60,000转/分钟的应用。模拟信号路径确保了快速响应时间和高输出带宽,这对现代电动动力系统和安全关键执行器至关重要。利用HAL 3025的差分或单端正弦余弦模拟输出,外部微控制器或电子控制单元(ECU)可以高分辨率计算绝对角位置。设备的非易失性存储器允许通过传感器的输出引脚编程关键信号路径参数,如正弦/余弦增益、偏移、正交性、0角和磁信号带宽。这消除了对额外编程引脚的需求,并为设计者提供了最大的线路校准灵活性。为确保在恶劣环境中的长期可靠性,该传感器的工作温度范围为-40°C至170°C,并采用紧凑型SOIC8 SMD封装。与HAL 3...
  • 点击次数: 1
    2026-05-26
    金升阳SF系列接触器控制模块针对传统产品存在的关断响应慢、稳定性不足及寿命有限等问题,采用自主研发的专用IC芯片,实现20ms的快速关断。这款模块支持170-550VAC/DC的宽电压输入范围,兼容主流接触器型号,并支持单线圈无短路环设计。产品设计符合GB/T 14048.4-2020、GB/T 14808-2016等国家标准,确保产品性能稳定可靠。其适用于需要快速关断和高可靠性的工业自动化场景,如大型水泵、电磁启动器及大功率电加热控制柜等负载设备。产品特点:响应迅速,节能性能表现内置自主研发IC,可实现约20ms的快速关断,提升灭弧效率,延长电气元件寿命;智能控制降低吸持电流,达到节能效果;内置EMC及浪涌保护,提高系统安全性。降低成本,兼容性强支持单线圈无短路环设计,有助于降低物料成本;兼容“铜包铝”方案,便于成本调整;宽压输入覆盖170-550VAC及DC,适应多种电网环境;即插即用,适配多种市场主流接触器型号。运行稳定,适应环境广泛低噪音设计,噪声控制在25dB以下,适合对环境噪音有要求的场合;支持每小时1200次的空载开关,满足高频操作需求;适用温度范围为-40℃至+70℃,具备一定耐候性能。主要功能与应用:宽电压输入,满足出口市场多样需求;支持无短路环单线圈及铜包铝线圈设计;快速关断延长接触器寿命;噪声低,适合办公及医疗等环境;抗晃电功能,提升吸合稳定性;规格覆盖115-630A的主流F系列壳架;适应严苛环境与高频操作;可根据客户需求定制应用方案。典型应用场景:电网波动环境模块通过宽电压输入和抗晃电设计,在电压波动情况下仍能保持设备稳定运行,适用于煤矿行吊、配电回路等关键设备,减少设备停机风险。噪声敏感环境通过电子控制线圈方式降低运行噪声,适合楼宇自动化、智能配电室等场所,缓解办公、医疗、住宅区域的噪声影响。高频操作需求模块实现快速关断与高效灭弧,有助于延长接触...
  • 点击次数: 2
    2026-05-25
    ROHM宣布,其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU(电池备份单元)中。随着生成式AI的普及,AI服务器电源正加速向更高电压及HVDC(高压直流供电)架构演进,在这种背景下,罗姆的SiC MOSFET产品被选定为支撑下一代电源系统的SiC功率器件。随着生成式AI的普及,GPU的性能不断提升,数据中心的功耗急剧增加。针对这一课题,相关产品正在加速采用旨在降低输电损耗的HVDC架构。在这种大功率、高电压环境中,为了在停电或瞬停等异常情况下保护系统及海量数据,以服务器机架为单位进行电力补偿的BBU和CU(电容单元)的作用变得越来越重要。此次被采用的产品是750V耐压的SiC MOSFET“SCT4013DLL”,配置于AI服务器用±400V供电架构的电源单元中。该产品可充分发挥SiC的特性,具备最高结温(Tj)达175°C的优异耐高温性能,即使在因电压和功率密度日益提升而导致发热量增加的BBU中也能稳定工作。另外,在下一代800VDC供电架构中,由于供给BBU内部电池组的电源电压约为560V,因此同样可以使用750V耐压的罗姆 SiC MOSFET。下一代AI服务器的HVDC电源所需的备份系统,要能够在发生异常时,以瞬时响应且低损耗的方式控制高电压和大电流。针对这样严苛的要求,兼具高耐压、低损耗、耐高温特性的SiC功率器件,作为电力控制核心的关键器件备受期待。罗姆今后将继续着眼于AI服务器及数据中心市场的发展,不断加强采用SiC、GaN及硅材料的功率元器件的开发与供应。同时,通过提供与模拟IC等产品相组合的综合解决方案,为提高电力效率和实现可持续发展的社会贡献力量。免责声明:本文为转载文章,转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息,版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题,请联系小编进行删除。
  • 点击次数: 3
    2026-05-21
    Vishay 推出了两款新型汽车级光耦合器,采用宽体封装,采用宽体封装,比较跟踪指数(CTI)为600。Vishay VOWA618A VOWA617A半导体设计用于电动汽车(EV)和太阳能逆变器实现高隔离信号,提供1500伏峰值V的VIORM,1060V有效方距的V外侧空间,以及≥11毫米的外部渐变和间隙距离。≥AEC-Q102认证设备在同级中提供了最高的爬行距离,安全裕度比典型8毫米解决方案高出38%,非常适合电网连接的车载充电器(OBC)、直流/直流转换器和电池管理系统(BMS)隔离级。在这些高压应用中,它们超越了增强绝缘的需求,将高V的IORM和VIOWM(分别比竞争对手提升6%和19%)结合,隔离电压为5300V RMS,V IOTM峰值为8000V。光耦合器每个由一个红外发射二极管组成,光耦合到宽体SMD-8封装中的硅平面光电晶体管探测器。标准方案通常提供175的CTI,而VOWA617A和VOWA618A的600 CTI则赋予其材料组1等级,即最高的绝缘组。此外,其80伏集电极-发射极电压额定提供了更多设计灵活性。与通常工作温度达到+85°C的消费级解决方案相比,光耦合器的工作温度范围更宽,范围从-40°C到+125°C,接点温度可达+145°C。符合RoHS标准、无卤素且采用Vishay Green标准,这些器件在VOWA617A端5毫安和VOWA618A端1毫安的低输入电流下,电流传输比(CTR)范围从50%到600%。免责声明:本文为转载文章,转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息,版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题,请联系小编进行删除。
  • 点击次数: 7
    2026-05-20
    TDK推出FS3303是其微型POL家族超紧凑、非隔离的直流直流功率模块重大扩展的首款产品,适用于AI边缘系统及其他空间受限设计中的光模块。尽管体积仅为2.5 x 2.5毫米,高度仅1.2毫米,FS3303仍能在环境温度最高+90°C(降低后可达+125°C)下提供3安培电流,峰值效率约为95%。超紧凑型微型POL模块FS3303在2.5×2.5毫米的占地内提供3安培,仅1.2毫米高,支持光模块和AI边缘系统的高密度功率在+90°C以下(降额时为+125°C)时,高效率可达95%,支持ASIC、SoC、DSP和AI芯片组的低压轨道,电压从0.4V到3.3V不等集成控制器、驱动单元、MOSFET和电感元件,集成在TDK 3D芯片嵌入式封装中,最大限度地减少外部元件并最大化板块空间节省FS3303及即将推出的高性能负载点(POL)变换器系列涵盖3A至80A输出,覆盖0.3V至3.3V的轨道。它们使下一代光网络和人工智能加速器平台能够在不牺牲板块空间的前提下提升性能。例如紧凑型光模块,其速率从10 Gbit/s扩展到1.6 Tbit/s。新产品线的高度轮廓介于1.2毫米至1.7毫米之间。FS3303专为低压轨道设计,支持输入电压范围为2.7伏至6伏,输出电压范围为0.4伏至3.3伏。这使得它成为ASIC、SoC、DSP以及新兴AI芯片组的多功能解决方案,适用于需要严格监管和高瞬态性能的新型芯片。FS3303 利用了 TDK 专有的三维芯片嵌入式封装技术,集成了控制器、驱动单元、MOSFET 和功率电感。该架构最大限度地减少外部元件,提供完整的直流直流解决方案,具有卓越的面积和高度节约——非常适合下一代光收发器和边缘AI模块。免责声明:本文为转载文章,转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息,版权归原作者所有。本文所用视频、图片、...
热门分类
关于我们

───  公众号二维码  ───

兆亿微波商城微信公众号

兆亿微波商城www.rfz1.com是一个家一站式电子元器件采购平台,致力于为广大客户提供高质量、高性能的电子元器件产品。产品覆盖功放器件、射频开关、滤波器、混频器、功分器、耦合器、衰减器、电源芯片、电路板及射频电缆等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、BOM配单及提供产品配套资料等,为客户提供一站式供应链采购服务。 

  • 品质 • 正品行货 购物无忧
  • 低价 • 普惠实价 帮您省钱
  • 速达 • 专业配送 按时按需
Copyright ©2020 - 2021 兆亿微波科技有限公司
X
1

QQ设置

    1
3

SKYPE 设置

4

阿里旺旺设置

5

电话号码管理

电话 电话 电话
010-62975458
    1
6

二维码管理

    1
返回顶部
展开