嗨,欢迎来到兆亿微波官方商城!
服务热线: 010-62975458  17600099251
购物车图片 购物车 ( )
全部商品分类

迈铸半导体正式推出MEMS芯片级线圈产品

2023/5/6 11:42:27
浏览次数: 19

螺线(Solenoid)线圈在电子行业的众多领域都有着极广泛的应用:在传感器中,可作磁通门或者巨磁阻的激励线圈、电流传感器的感应线圈等;在执行器中,可用于微驱动,例如智能手机中触觉反馈Taptic Engine、手机摄像头变焦和电磁推杆等;在能量采集器中,可用于电磁式振动能量采集器的线圈;在功率电子器件中,可用作扼流的共模线圈,也可用作传导电能的变压器和功率电感;在射频系统中,用于频率发生、信号发射和接收等功能。


螺线线圈由著名的物理学家安培于1820年发明,其本质上可以看作是一个电磁相互作用的放大器。螺线线圈发明已经有200多年,除部分用叠层工艺和半导体薄膜工艺外,目前线圈主要还是由漆包线绕制而成。因为作为一种复杂的三维金属结构,毫米级螺线线圈在晶圆上的批量制造极具挑战性。




制造芯片式螺线线圈需要晶圆级厚金属工艺,但在硅晶圆上沉积较厚的金属一直存在着工艺的难度,目前主流的技术路线是通过电镀来实现。但作为一项基于电化学原理的金属沉积方法,电镀存在一些问题。例如电镀只能在导电的表面进行沉积,因为对于像硅或者玻璃晶圆就需要预先通过溅射或者蒸镀的方式铺上种子层;电镀使用的溶液具有一定的毒害并且容易对环境造成污染;电镀更适合平面二维结构的成型,对于成型复杂的三维结构则比较困难。迈铸半导体研发的微机电铸造(MEMS-Casting)技术则很好的解决了晶圆上复杂厚金属成型问题。


微机电铸造(MEMS-Casting)是一项将微纳原理引入宏观的铸造,可以在晶圆级实现复杂微金属结构批量铸造的技术。作为一项适合于在晶圆上批量制造复杂金属微型结构的技术,微机电铸造技术可以灵活方便地在晶圆一次成型螺线线圈,从而可以实现MEMS芯片式线圈。




通过微机电铸造技术在晶圆上制造MEMS线圈在工艺上主要分为线圈模具刻蚀和线圈金属填充两步。首先用体硅刻蚀工艺(主要是DRIE深硅刻蚀)在硅晶圆上刻蚀得到需要制造的线圈的硅模具,然后通过迈铸半导体自主研发的微机电铸造专用设备在晶圆的线圈模具中填充合金材料从而得到完整的线圈。与用固态的漆包线制造线圈的主要区别是,用微机电铸造技术制造线圈可以看成是用液态的金属绕制线圈(最后固化)。与电镀相比,微机电铸造技术的沉积速度可以提高数倍,并且过程清洁环保没有污染。




据麦姆斯咨询报道,近日,迈铸半导体正式推出MEMS芯片级线圈产品。客户可以根据实际的应用要求提出自己的线圈需求,迈铸半导体可以实现从线圈设计到出样的所有相关流程一站式服务。根据具体的线圈结构和类型,最快的打样交货期可以短至2周以内。



△ 3层Cavity+2层Groove

长 x 宽 x 高:5mm x 3.16mm x 1.95mm



△ 花瓣线圈

直径:3mm


相对于漆包线绕制的线圈,基于微机电铸造技术的MEMS线圈具有以下优点:


●  硅基易集成。基于微机电铸造的线圈是一种MEMS线圈,这种芯片式的线圈更容易在与ASIC芯片配合的场景实现合封。

●  一致性更好。目前一致性可以达到1%左右。

●  可以实现更灵活的结构,例如可以实现像U形,O形等线圈结构,而这类结构的线圈能表现出直的线圈没有的特性。

●  因为线圈所包含的材料只有硅,二氧化硅和合金,所以可以耐受超300度的温度。



△ MEMS线圈与传统线圈的对比


目前迈铸半导体已申请相关专利40多项,授权25+项,并且已建成一条1000平方米的中试线,具备完整的MEMS线圈生产制造能力,可满足MEMS线圈打样和小批量生产需求。



△ 迈铸半导体微机电铸造技术应用中试线(一期)



△ 微机电铸造专用填充设备



△ 中试线内部分设备区间



△ 这款80匝(长5mmX宽3.16mm)线圈可现货提供

中间的空腔有0/0.3/0.6/0.9mm四种规格可选

支持定制任意规格


上海迈铸半导体成立于2018年,是中国科学院上海微系统与信息技术研究所孵化企业。2021年获高新技术企业称号。公司致力于晶圆级微机电铸造(MEMS-Casting)技术的研发和产业化,此技术是本公司研发的一项独创性技术,该技术可通过微纳原理将宏观的铸造缩小一百万倍,从而可以在晶圆上实现铸造。可广泛应用于半导体先进封装、MEMS器件以及三维集成射频器件等领域。




△ 基于MEMS线圈的可发电手表


在线留言询价
推荐阅读
  • 点击次数: 1
    2026-05-26
    金升阳SF系列接触器控制模块针对传统产品存在的关断响应慢、稳定性不足及寿命有限等问题,采用自主研发的专用IC芯片,实现20ms的快速关断。这款模块支持170-550VAC/DC的宽电压输入范围,兼容主流接触器型号,并支持单线圈无短路环设计。产品设计符合GB/T 14048.4-2020、GB/T 14808-2016等国家标准,确保产品性能稳定可靠。其适用于需要快速关断和高可靠性的工业自动化场景,如大型水泵、电磁启动器及大功率电加热控制柜等负载设备。产品特点:响应迅速,节能性能表现内置自主研发IC,可实现约20ms的快速关断,提升灭弧效率,延长电气元件寿命;智能控制降低吸持电流,达到节能效果;内置EMC及浪涌保护,提高系统安全性。降低成本,兼容性强支持单线圈无短路环设计,有助于降低物料成本;兼容“铜包铝”方案,便于成本调整;宽压输入覆盖170-550VAC及DC,适应多种电网环境;即插即用,适配多种市场主流接触器型号。运行稳定,适应环境广泛低噪音设计,噪声控制在25dB以下,适合对环境噪音有要求的场合;支持每小时1200次的空载开关,满足高频操作需求;适用温度范围为-40℃至+70℃,具备一定耐候性能。主要功能与应用:宽电压输入,满足出口市场多样需求;支持无短路环单线圈及铜包铝线圈设计;快速关断延长接触器寿命;噪声低,适合办公及医疗等环境;抗晃电功能,提升吸合稳定性;规格覆盖115-630A的主流F系列壳架;适应严苛环境与高频操作;可根据客户需求定制应用方案。典型应用场景:电网波动环境模块通过宽电压输入和抗晃电设计,在电压波动情况下仍能保持设备稳定运行,适用于煤矿行吊、配电回路等关键设备,减少设备停机风险。噪声敏感环境通过电子控制线圈方式降低运行噪声,适合楼宇自动化、智能配电室等场所,缓解办公、医疗、住宅区域的噪声影响。高频操作需求模块实现快速关断与高效灭弧,有助于延长接触...
  • 点击次数: 2
    2026-05-25
    ROHM宣布,其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU(电池备份单元)中。随着生成式AI的普及,AI服务器电源正加速向更高电压及HVDC(高压直流供电)架构演进,在这种背景下,罗姆的SiC MOSFET产品被选定为支撑下一代电源系统的SiC功率器件。随着生成式AI的普及,GPU的性能不断提升,数据中心的功耗急剧增加。针对这一课题,相关产品正在加速采用旨在降低输电损耗的HVDC架构。在这种大功率、高电压环境中,为了在停电或瞬停等异常情况下保护系统及海量数据,以服务器机架为单位进行电力补偿的BBU和CU(电容单元)的作用变得越来越重要。此次被采用的产品是750V耐压的SiC MOSFET“SCT4013DLL”,配置于AI服务器用±400V供电架构的电源单元中。该产品可充分发挥SiC的特性,具备最高结温(Tj)达175°C的优异耐高温性能,即使在因电压和功率密度日益提升而导致发热量增加的BBU中也能稳定工作。另外,在下一代800VDC供电架构中,由于供给BBU内部电池组的电源电压约为560V,因此同样可以使用750V耐压的罗姆 SiC MOSFET。下一代AI服务器的HVDC电源所需的备份系统,要能够在发生异常时,以瞬时响应且低损耗的方式控制高电压和大电流。针对这样严苛的要求,兼具高耐压、低损耗、耐高温特性的SiC功率器件,作为电力控制核心的关键器件备受期待。罗姆今后将继续着眼于AI服务器及数据中心市场的发展,不断加强采用SiC、GaN及硅材料的功率元器件的开发与供应。同时,通过提供与模拟IC等产品相组合的综合解决方案,为提高电力效率和实现可持续发展的社会贡献力量。免责声明:本文为转载文章,转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息,版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题,请联系小编进行删除。
  • 点击次数: 3
    2026-05-21
    Vishay 推出了两款新型汽车级光耦合器,采用宽体封装,采用宽体封装,比较跟踪指数(CTI)为600。Vishay VOWA618A VOWA617A半导体设计用于电动汽车(EV)和太阳能逆变器实现高隔离信号,提供1500伏峰值V的VIORM,1060V有效方距的V外侧空间,以及≥11毫米的外部渐变和间隙距离。≥AEC-Q102认证设备在同级中提供了最高的爬行距离,安全裕度比典型8毫米解决方案高出38%,非常适合电网连接的车载充电器(OBC)、直流/直流转换器和电池管理系统(BMS)隔离级。在这些高压应用中,它们超越了增强绝缘的需求,将高V的IORM和VIOWM(分别比竞争对手提升6%和19%)结合,隔离电压为5300V RMS,V IOTM峰值为8000V。光耦合器每个由一个红外发射二极管组成,光耦合到宽体SMD-8封装中的硅平面光电晶体管探测器。标准方案通常提供175的CTI,而VOWA617A和VOWA618A的600 CTI则赋予其材料组1等级,即最高的绝缘组。此外,其80伏集电极-发射极电压额定提供了更多设计灵活性。与通常工作温度达到+85°C的消费级解决方案相比,光耦合器的工作温度范围更宽,范围从-40°C到+125°C,接点温度可达+145°C。符合RoHS标准、无卤素且采用Vishay Green标准,这些器件在VOWA617A端5毫安和VOWA618A端1毫安的低输入电流下,电流传输比(CTR)范围从50%到600%。免责声明:本文为转载文章,转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息,版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题,请联系小编进行删除。
  • 点击次数: 7
    2026-05-20
    TDK推出FS3303是其微型POL家族超紧凑、非隔离的直流直流功率模块重大扩展的首款产品,适用于AI边缘系统及其他空间受限设计中的光模块。尽管体积仅为2.5 x 2.5毫米,高度仅1.2毫米,FS3303仍能在环境温度最高+90°C(降低后可达+125°C)下提供3安培电流,峰值效率约为95%。超紧凑型微型POL模块FS3303在2.5×2.5毫米的占地内提供3安培,仅1.2毫米高,支持光模块和AI边缘系统的高密度功率在+90°C以下(降额时为+125°C)时,高效率可达95%,支持ASIC、SoC、DSP和AI芯片组的低压轨道,电压从0.4V到3.3V不等集成控制器、驱动单元、MOSFET和电感元件,集成在TDK 3D芯片嵌入式封装中,最大限度地减少外部元件并最大化板块空间节省FS3303及即将推出的高性能负载点(POL)变换器系列涵盖3A至80A输出,覆盖0.3V至3.3V的轨道。它们使下一代光网络和人工智能加速器平台能够在不牺牲板块空间的前提下提升性能。例如紧凑型光模块,其速率从10 Gbit/s扩展到1.6 Tbit/s。新产品线的高度轮廓介于1.2毫米至1.7毫米之间。FS3303专为低压轨道设计,支持输入电压范围为2.7伏至6伏,输出电压范围为0.4伏至3.3伏。这使得它成为ASIC、SoC、DSP以及新兴AI芯片组的多功能解决方案,适用于需要严格监管和高瞬态性能的新型芯片。FS3303 利用了 TDK 专有的三维芯片嵌入式封装技术,集成了控制器、驱动单元、MOSFET 和功率电感。该架构最大限度地减少外部元件,提供完整的直流直流解决方案,具有卓越的面积和高度节约——非常适合下一代光收发器和边缘AI模块。免责声明:本文为转载文章,转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息,版权归原作者所有。本文所用视频、图片、...
  • 点击次数: 10
    2026-05-20
    在2026年5月19日召开的董事会会议上,TDK公司已决定Amperex Technology(新加坡)私人有限公司。有限公司,作为公司从事可充电电池业务的子公司,将收购Linergy Power Sdn Bhd(以下简称“Linergy”)100%的普通股,并将Linergy成为全资子公司(以下简称“股份收购”)。收购股份的原因2024年5月,为进一步提升企业价值,公司制定了长期愿景“TDK转型”,作为公司未来十年的目标,体现了公司加速为社会转型做出贡献、持续转型,为实现可持续未来的承诺。此外,公司发布了中期计划,代表其三年行动计划(2025财年3月至2027财年3月),并一直按照该愿景推动业务发展。在核心能源解决方案业务中,公司通过中小容量电池的前沿技术开发不断推出高附加值新产品,赢得了多元客户群的信任。值得注意的是,在中容量电池业务中,公司利用积累的技术和专业知识开发并供应符合客户需求的产品,从而实现差异化并扩大业务。通过收购股份,公司将能够提供灵活的全球供应结构,以满足客户多样化的需求。这将进一步增强客户信任,推动业务进一步增长,加速“TDK转型”的实现。免责声明:本文为转载文章,转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息,版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题,请联系小编进行删除。
热门分类
关于我们

───  公众号二维码  ───

兆亿微波商城微信公众号

兆亿微波商城www.rfz1.com是一个家一站式电子元器件采购平台,致力于为广大客户提供高质量、高性能的电子元器件产品。产品覆盖功放器件、射频开关、滤波器、混频器、功分器、耦合器、衰减器、电源芯片、电路板及射频电缆等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、BOM配单及提供产品配套资料等,为客户提供一站式供应链采购服务。 

  • 品质 • 正品行货 购物无忧
  • 低价 • 普惠实价 帮您省钱
  • 速达 • 专业配送 按时按需
Copyright ©2020 - 2021 兆亿微波科技有限公司
X
1

QQ设置

    1
3

SKYPE 设置

4

阿里旺旺设置

5

电话号码管理

电话 电话 电话
010-62975458
    1
6

二维码管理

    1
返回顶部
展开